提供了一种用于在等离子体腔中处理基底的方法。该方法包括提供其上形成将被蚀刻的下层和掩模的基底。该方法还包括在掩模上形成保护膜。该方法还包括执行各向异性沉积以在掩模的顶部上选择性地形成沉积层。

本实用新型提供一种基板处理装置，该基板处理装置谋求超临界干燥处理的効率化。本实用新型的基板处理装置为一种使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置，该基板处理装置具备处理容器和多个保持部，处理容器为进行干燥处理的容器...

本发明提供一种光照射装置，其包括：多个氘灯，其向晶片W照射波长在200nm以下的、具有以光源为顶点的圆锥状的光路的真空紫外光；和多边形筒，其以遮挡从多个氘灯照射的真空紫外光的照射范围的重叠部分的方式与各氘灯对应地设置，多边形筒从真空紫外...

本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理装置。其中，该基板处理装置包括：处理室，其被维持为大气压气氛；载物台，其被配置于所述处理室内，并载置被实施了使用含有氟的气体的处理的基板；温度调节部，其将所述载物台...

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。基于时间参数、构成多单元的单元的所需基片停留时间和循环时间，决定多单元中的作为基片的输送目标的单元的个数，以及决定停留循环数，其中，时间参数是，与为了将送入处理区块的基片输送到送出单元所需的主输送装...

本发明提供一种热介质的控制方法和热介质控制装置，用于抑制伴随热介质的供给停止而产生的水击。该热介质的控制方法包括流量控制工序和供给停止工序。在流量控制工序中，在从供给被进行了温度控制的热介质的温度控制部向在与温度控制对象物进行热交换的热...

用于处理基板的基板处理系统具有：第1周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第1磨具，将所述周缘部磨削至第1深度地去除；第2周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第2磨具，在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部之后，将该周缘部进一...

一种基板处理系统，其对在非加工面设有保护件的基板的加工面进行加工，其中，该基板处理系统具有：磨削部，其以多个工序对所述基板的加工面进行磨削；保护件厚度测量部，在利用所述磨削部对所述基板的加工面进行磨削之前，该保护件厚度测量部测量所述保护...

本发明提供基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法。使光学检测供向基板供给的流体流通的供给路径中的异物的基板处理装置小型化。基板处理装置包括：供给路径，其供向基板供给的流体流通；以及异物检测单元，所述供给路径的局部构成流路形成部，该异...

本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、上部电极、高频电源及直流电源装置。基板支撑器包含下部电极。下部电极设置于腔室内。上部电极设置于基板支撑器的上方。高频电源在腔室内生成等离子体。直流电源装置与上部电极电连...

用于支承基板的基板支承构件，其具有：导电部，其具有导电性；以及电感部，其设于该导电部的外侧，在该导电部形成有与该基板接触并支承该基板的接触支承部，该导电部的隔着该电感部与该接触支承部相反的一侧直接地或间接地接地。

本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述...

本发明提供基板处理方法，在使基板自转公转的基板处理装置中，能够提高成膜的膜厚分布的均匀性。基板处理装置具有：旋转台，其用于载置被设于处理室内的基板；第1气体供给部，其供给第1气体；以及第2气体供给部，其供给第2气体，该基板处理方法为：在...

本发明提供蚀刻膜的方法。在一实施方式中，提供蚀刻基片的膜的方法。基片具有膜和形成于该膜上的掩模。方法包括在掩模的上表面之上选择性地形成沉积物的步骤。方法在形成沉积物的步骤后，还包括蚀刻膜的步骤。进行蚀刻的步骤包括在基片上形成处理气体的等...

本发明提供一种在基片表面形成涂敷膜的涂敷膜形成方法，其包括：涂敷扩散步骤，在上表面具有开口的涂敷杯状体内，使基片以第1转速旋转，对基片的表面供给用于形成所述涂敷膜的涂敷液，使该涂覆液扩散；和干燥步骤，在所述涂敷扩散步骤之后，一边使基片以...

本发明提供等离子体处理装置。处理室在内部设置有用于载置基片的载置台，在其中实施对基片的等离子体处理。排气口设置在载置台的周围的、比载置台的载置基片的载置面低的位置，对处理室内进行排气。多个挡板由导电性材料形成，分别与接地电位连接，设置在...

本公开涉及基板处理装置的清洗方法和基板处理装置，能够抑制在向大气开放时排气管被腐蚀，且能够抑制氟残留于处理容器的内部。所述清洗方法包括清洗用于对处理容器的内部进行排气的排气管的工序，清洗所述排气管的工序包括如下工序：在关闭设置于所述排气...

本发明提供测量装置、基片处理系统和测量方法。实施方式的测量装置包括输送部、拍摄部和测量部。输送部输送形成有图案的基片。拍摄部在其与基片的距离进入规定聚焦范围内的情况下，开始基片的拍摄。测量部基于通过拍摄获得的图像信息来测量图案的形状。本...

本发明提供卡盘顶、检查装置以及卡盘顶的回收方法。能够对应节省空间化并且防止掉落。在对形成于晶圆的多个被检查器件进行检查的检查装置中，卡盘顶保持晶圆，并且在检查时保持于框架且设为相对于对准器能够接近分离，卡盘顶具备：主体；以及防掉落机构，...

本发明提供基板处理方法和基板处理装置。防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。由第1处理液形成的第1液柱和由第...