基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理装置。其中，该基板处理装置包括：处理室，其被维持为大气压气氛；载物台，其被配置于所述处理室内，并载置被实施了使用含有氟的气体的处理的基板；温度调节部，其将所述载物台上载置的基板的温度维持在10℃～80℃；以及供给机构，其向所述处理室内供给水蒸气，以使所述载物台上载置的基板暴露于含有550g/m

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置本申请是申请号为2017100072840、申请日为2017年1月5日，专利技术名称为“基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统”的申请的分案申请。
本专利技术涉及将残留于基板的表面的氟去除的基板处理装置。
技术介绍
作为对形成于作为基板的半导体晶圆(以下，简称为“晶圆”。)的氧化膜进行化学蚀刻而去除的处理，公知有例如COR(化学氧化去除：ChemicalOxideRemoval)处理和PHT处理(后热处理：PostHeatTreatment)。在COR处理中，使在晶圆的表面形成的氧化膜与氟化氢气体和氨气反应，从氧化膜生成作为反应产物的氟硅酸铵(AFS)。在PHT处理中，通过对晶圆进行加热而使所生成的AFS升华而去除。即、通过COR处理和PHT处理，氧化膜被去除。不过，有时在实施了COR处理和PHT处理之后的晶圆的表面残留氟。残留下的氟有时对形成于晶圆的表面的配线膜等进行腐蚀，使由晶圆制造的半导体器件的电特性劣化。因而，需要将在晶圆的表面残留的氟(以下称为“残留氟”。)去除。作为将残留氟去除的方法，以往，进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，/n该基板处理装置包括：/n处理室，其被维持为大气压气氛；/n载物台，其被配置于所述处理室内，并载置被实施了使用含有氟的气体的处理的基板；/n温度调节部，其将所述载物台上载置的基板的温度维持在10℃～80℃；以及/n供给机构，其向所述处理室内供给水蒸气，以使所述载物台上载置的基板暴露于含有50g/m

【技术特征摘要】
20160113 JP 2016-004719;20160920 JP 2016-1831331.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
处理室，其被维持为大气压气氛；
载物台，其被配置于所述处理室内，并载置被实施了使用含有氟的气体的处理的基板；
温度调节部，其将所述载物台上载置的基板的温度维持在10℃～80℃；以及
供给机构，其向所述处理室内供给水蒸气，以使所述载物台上载置的基板暴露于含有50g/m3以上的水分量的水分含有气氛中。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述载物台上的基板的温度与所述处理室内的温度之差为50℃以内。


3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调节部将所述载物台上载置的基板的温度维持在24℃～60℃。


4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调节部包含加热器和/或冷却通道。


5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述载物台上载置的基板暴露于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：羽田敬子，清水昭贵，长仓幸一，立花光博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP