本发明提供一种成膜装置和成膜处理方法。提供一种能够使基板处理的面内均匀性提高并且抑制微粒的技术。提供一种成膜装置，该成膜装置具备：处理容器，其在内部形成真空气氛；载置台，其用于载置基板，具有设置到所述处理容器内的加热部件；气体喷出机构，...

本发明提供探针装置，对以矩阵状排列于载置台上的基片上的被检查芯片依次进行探针测试时，减轻对作为检查对象的被检查芯片以外的被检查芯片的热负载。在与排列被检查芯片(100)的载置台(2)的载置面相反一侧，以能够对被检查芯片(100)的每一者...

基板处理装置具有：处理容器，其收纳基板；载置台，其在该处理容器内载置基板；排气部，其对该处理容器内的处理气体进行排气；以及分隔壁，其配置于该处理容器内，包围载置台，在该分隔壁的内部，在整周上以在铅垂方向延伸的方式形成有与排气部连通的排气...

本发明提供一种基板处理装置和气体导入板。在向被载置于处理容器内的晶圆供给气体时能够调整气体的浓度的面内分布。在向被载置于处理容器(20)内的晶圆(W)供给气体来进行处理的等离子体处理装置中，通过分隔部(5)将处理容器(20)内划分为激发NF

描述了一种用于使用等离子体来处理衬底的系统和方法。该系统包括：衬底固持器，该衬底固持器设置在等离子体加工系统内并且被布置成支撑衬底；第一信号发生器，该第一信号发生器用于以第一频率将第一信号耦合到该等离子体加工系统中的等离子体；以及第二信...

本发明提供能够将具有所需离子能量的离子高效地供给至基片的等离子体处理装置。一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，第1高频电源经由第1匹配器与设置于腔室内的基片支承台的下部电极连接。第1高频电源将偏置用的第1高频功率向下部电极供给。第2...

本实用新型提供一种即使在相对于载体搬入搬出基板的位置与进行基板处理的高度位置不同的情况下，也能够准确且迅速地进行基板的交接的基板交接机构及基板处理装置。该基板交接机构包括：处理前交接平台，其搬入并载置实施处理前的基板；处理后交接平台，其...

本实用新型提供一种能够最大程度地降低输送作业对于基板处理性能的影响、并提高基板处理作业时工序调整的灵活度的基板处理装置。该基板处理装置具有：液处理部，其向基板供给处理液并对基板进行处理；干燥处理部，其与所述液处理部邻接配置，用于使在所述...

本发明提供热处理装置。本发明的一个方式的热处理装置包括：纵长的处理容器；设置于上述处理容器的周围的加热装置；温度传感器，其沿上述处理容器的长边方向设置在上述处理容器内或者上述处理容器与上述加热装置之间的空间；和一对分隔件，其在上述空间以...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。实施方式的基片处理方法包括：生成步骤，其将基片处理的方案信息和基片处理的控制对象的控制值信息以按每个方案信息生成一个记录的方式生成记录；存储记录的存储步骤；在进行基片处理时获取方案信息的获取步骤；读...

本发明的课题在于：提供一种能够高精度地控制图案的形状的技术。本发明解决课题的方法在于：基板处理方法包括：提供在表层形成有图案的基板的提供工序；设定基板的温度使得图案的变化达到规定的变化量的设定工序；在基板的表层形成与温度相对应厚度的反应...

本发明涉及等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。一种等离子体蚀刻方法，其对包含蚀刻对象膜和被图案化的掩模的被处理体进行等离子体蚀刻，所述方法具有：第1工序：使用前述掩模对前述蚀刻对象膜进行等离子体蚀刻；和第2工序：利用含硅气体的等离子体使...

本发明提供一种能够使等离子体的面内分布均匀化的供电构造和等离子体处理装置。供电构造具备第1连接构件组和第1端子区域。第1连接构件组由多个连接构件构成，该多个连接构件以对配置于等离子体处理装置用的处理容器内的聚焦环施加偏置电位的方式沿着聚...

本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括：第1步骤，其在形成于基片上的有疏密的图案上形成第1膜；和对第1膜进行溅射或蚀刻的第2步骤。本发明能够实现形成于基片上的图案的精密的尺寸控制。

示例性实施方式所涉及的搬送方法包括：通过搬送装置将聚焦环搬送至工作台上的步骤；将测量仪搬送至已搬送的聚焦环的内侧区域的静电卡盘上的步骤；通过所搬送的测量仪获取测量值组的步骤；根据测量值组求出第1偏移量及第2偏移量的步骤；根据第1偏移量及...

本文描述了与半导体制造过程有关的技术，该技术促进了制造的半导体晶圆的图案的系统合格度的提高。具有最大化的系统合格度的图案的半导体晶圆将使形成为制造的半导体晶圆的一部分的电子装置的电气性质和/或功能最大化。在理解摘要将不用于解释或限定权利...

本发明提供基板处理装置和处理液浓缩方法。能够高效地使成为磷酸处理液的原料的磷酸水溶液浓缩成期望的浓度。本公开的一技术方案的基板处理装置包括：处理部，其利用处理液处理基板；以及处理液生成部，其生成向处理部供给的处理液。处理液生成部具有：储...

本发明提供一种应对基板在基板吸盘部的吸附不良的检查装置和检查方法。例示性的实施方式所涉及的检查装置具备用于检查形成于基板的半导体器件的电气特性的多个检查室。检查装置具备基板吸盘部、测量部、控制部。基板吸盘部在检查时以吸附的方式保持基板。...

本发明涉及以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法。本文描述了实施方式用于对间隔物轮廓再成形以改善间隔物均匀性从而改善在与自对准多重图案化处理相关的图案转移期间的蚀刻均匀性。对于公开的实施方式，在用于微电子工件的衬底的材料层上形成...

本发明提供一种基片处理系统，其包括常压输送室、真空处理室、一个以上的装载互锁单元、真空输送室、多个安装部、第1输送机构、第2输送机构和控制部。多个安装部设置在常压输送室。多个安装部能够可拆装地安装多个保管部的每一个。控制部与第1输送机构...