本发明的相位调制模块的第1保持部(71)具有：第1侧壁部(72)，其与相位调制元件(6)的第1侧面(6a)相向；及第1突出部(73)，其自第1侧壁部向相位调制元件延伸。第2保持部(74)具有与相位调制元件的第2侧面(6b)相向的第2侧壁...

本发明的EUV光源包括划定等离子体约束区的腔室。磁芯位于所述腔室周围，并且配置为在等离子体生成区中生成等离子体，使得所述等离子体会聚于所述等离子体约束区。电力输送部位于所述磁芯周围。电源包括充电电路、预电离电路以及具有耦合至所述磁芯输出...

本发明的发光封装体具备：框体，其具有使第1光入射至等离子体区域的第1窗部、及使第2光自等离子体区域出射的第2窗部；及包围部，其划定包含等离子体区域的包围空间，具有与第1窗部对应的第1开口、及与第2窗部对应的第2开口。第1窗部相对于第1开...

图像处理装置（10）具有正弦图制作部（11）、CNN处理部（12）、卷积积分部（13）、前向投影计算部（14）、CNN学习部（15）、存储部（16）和图像重建部（17）。前向投影计算部（14）对输出图像（23）进行前向投影计算，制作计算...

本发明的一实施方式的放射线摄像装置具备：传感器面板、控制基板、经由控制基板的侧方连接传感器面板与控制基板的背面的柔性基板、搭载有电源电路及接口电路的电路基板、容纳传感器面板、控制基板、及柔性基板的第一框体、容纳电路基板的第二框体、及电连...

本发明的发光封装体具备容纳用于产生等离子体的气体的容纳构造体。容纳构造体具有：第1窗部，其使在等离子体产生的等离子体区域用于维持等离子体的第1光入射于等离子体区域；第2窗部，其使自等离子体产生的第2光自等离子体区域出射；第3窗部，其隔着...

本发明的摄像装置具备：多个驱动电源部，它们将电源电压转换为驱动用直流电压；和栅极驱动器，其自多个驱动电源部的各个接收驱动用直流电压。一个驱动电源部具有：第1电压转换部，其将电源电压转换为第1直流电压；第2电压转换部，其将第1直流电压转换...

本发明的发光封装体具备：框体，其具有使用于维持等离子体的第1光入射于等离子体区域的第1窗部、及使自等离子体发出的第2光自等离子体区域出射的第2窗部；第1电极，其具有面对等离子体区域的第1前端部；第2电极，其具有：第2前端部，其面对等离子...

一实施方式的放射线摄像装置包含：传感器面板；支撑构件，其支撑传感器面板；控制基板，其配置于与支撑构件的背面相对的位置；挠性基板，其配置为连接传感器面板与控制基板；IC芯片，其搭载于挠性基板上；及吸热构件，其设置于支撑构件与IC芯片之间，...

本发明的相位调制模块(1)包含：基座部(2)、相位调制元件(6)、具有第1侧壁部(71)、第2侧壁部(72)及顶壁部(73)的保持部(7)、以及填充材(8)。顶壁部包含第1延伸部分(75)及第2延伸部分(76)。第1延伸部分及第2延伸部...

一种半导体光位置检测器，其具备：第一半导体层（10），其由第一化合物半导体构成，具有第一导电型；第二半导体层（20），其层叠于所述第一半导体层（10）上，具有比所述第一化合物半导体大的带隙能量；多个半导体区域（30），它们以从所述第二半...

一种图像处理方法，具备：图像获取步骤，其获取向对象物(F)照射能量射线并拍摄透过对象物(F)的能量射线的图像；空间模糊图生成步骤，其基于图像，生成表示噪声的空间性模糊的分布的空间模糊图；以及处理步骤，其将图像和空间模糊图输入至预先通过机...

本公开的测量装置(1)是测量对象物(S)的表面粗糙度的装置，且具备：离轴抛物面镜元件(11)，其具有：第1面(12)；第2面(13)，其由凹状的抛物镜面构成，位于第1面(12)的反面；及贯通孔(14)，其连结第1面(12)与第2面(13...

本发明的固体摄像装置（1A）具备受光部（10A）、读出部（20）、选择部（30）、计数器组（40A）、处理部（50）和控制部（60A）。受光部（10A）包括N个像素（12A）。计数器组（40A）包括M个计数器。各像素（12A）检测事件并...

图像获取装置(1)具备计算图像中的像素值和像素值的统计值的关系数据的关系计算部(202)、和对处理对象的图像进行处理的参数设定部(204)及滤波器处理部(205)，参数设定部(204)及滤波器处理部(205)基于图像的每个像素的像素值和...

干涉测定装置（1A）具备光源（10）、干涉光学系统（20A）、光电倍增管（30）、干涉强度测定部（40）、电场振幅计算部（50）和分析部（60）。光源（10）输出光电倍增管（30）具有灵敏度的频带（包含太赫兹波的光的频带）的光。光电倍增...

干涉观察装置具备：光源，其输出光；干涉光学系统，其具有可移动的参照镜，将自光源输出的光分割为第1光及第2光，输出被观察对象物反射的第1光与被参照镜反射的第2光的干涉光；摄像元件，其检测干涉光；及处理部，其基于干涉光的检测结果取得干涉图像...

本公开提供一种半导体激光器，其包括：半导体基板；层叠于所述半导体基板的表面的半导体层叠部；以及第一电极和第二电极，所述半导体层叠部具有：活性层；相对于所述活性层位于所述半导体基板侧的第一包覆层；和相对于所述活性层位于与所述半导体基板相反...

光纤耦合器（5）是将波长测量对象的光分离的光学元件，具备可传播规定的中心波长的光的光纤（20）和具有耦合于光纤（20）的耦合区域（50）的光纤（30），且光纤（20）可传播的光的中心波长是耦合区域（50）中的透过率处于10%至90%的范...

本发明的干涉测量装置(1)具备：干涉光学系统(20)，其具有：使来自光源(10)的测量光(L1)分支为分支光(L1a、L1b)的分束器(21)；使分支光(L1a)被直动台(22)反射而再次入射到分束器(21)的光路(Pa)；和分支光(L...