[课题]从基板有效地去除该基板上的附着物(例如硬掩模)。[解决方案]基板处理方法包括如下工序：工序(A)，向基板供给含有附着物的去除剂、具有比去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；工序(B)，在工序(A)后，向基板供给含有成...

在未形成等离子体的气氛下对基板进行处理时，能够可靠性较高地对该基板进行吸附，在基板的面内进行均匀性较高的处理。构成具备以下构件的装置：直流电源(35)，其正极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的一者连接，负极侧与静电卡盘...

本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置可靠地进行基板处理装置内的空间的气氛调整并且削减气氛调整用的气体的使用量。基板处理装置包括：控制基板处理区的处理区域内的气氛的第1气氛控制系统和控制基板处理区的基板输送区域内的气氛的第2气氛控制...

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置包括：处理部，其用于利用循环的处理液对基片实施处理，处理液的流路中包含含金属材料；处理控制部，其控制处理部以将基片送入处理用的区域而使其暴露于处理液；和吸附控制部，其控制处理部...

本发明涉及用于对基底进行多图案多重图案化的方法。公开了用于提供基底处理中的蚀刻选择性的方法。更具体地，提供了对包含不同材料的多种暴露结构的等离子体处理。所述等离子体处理将优先提高暴露结构中的至少两种之间的蚀刻选择性。在一个实施方案中，将...

一种基板输送装置，其利用基板保持部保持基板的一面地进行输送且交接基板的另一面，其中，该基板输送装置具有：倾动机构，其使所述基板保持部从侧视角度看倾动自如；以及固定机构，其用于固定所述基板保持部的从侧视角度看的倾动。

本发明的探针的针头位置调节方法包括拍摄步骤、存储步骤、检测步骤、确定步骤和调节步骤。在拍摄步骤中，检查装置使摄像机沿着各个探针的高度方向移动，使摄像机以在1个图像内显现有多个探针的针头的方式拍摄多个探针的针头。在存储步骤中，检查装置将由...

例示性实施方式所涉及的基板载置台具备基座及设置于基座上的静电卡盘。静电卡盘具备层叠部、中间层及包覆层。层叠部设置于基座上。中间层设置于层叠部上。包覆层设置于中间层上。层叠部具备第1层、电极层及第2层。第1层设置于基座上。电极层设置于第1...

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。实施方式的基片处理装置包括前处理作业线、涂敷作业线、输送作业线、显影处理作业线、第1输送部、第2输送部、第3输送部和第4输送部。涂敷作业线与前处理作业线并排地配置。输送作业线配置在涂敷作业线的上方或...

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。实施方式的基片处理装置包括前处理作业线、涂敷作业线、显影处理作业线、第1输送部、第2输送部和第3输送部。前处理作业线对基片进行前处理。涂敷作业线与前处理作业线并排地配置，在进行了前处理的基片涂敷处理...

本发明提供一种能够抑制设置有多孔质部的气体导入管被蚀刻气体蚀刻的气体导入构造、处理装置以及处理方法。本公开的一形态的气体导入构造具有：气体导入管，其插入到处理容器内；和喷出部，其覆盖所述气体导入管的靠所述处理容器侧的端部，将供给到所述气...

本发明提供一种温度调整装置和温度调整装置的控制方法。具备：第一温度控制部，将第一温度调整介质的温度控制为第一温度；第二温度控制部，将第二温度调整介质的温度控制为与第一温度不同的第二温度；第一流路，用于使第一温度调整介质在构件流路与第一温...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的运转方法。基板处理装置具备：贮存部；多个处理部；液供给部，其向贮存部至少供给第一液，该第一液包括处理液自身或者用于调配处理液的原料液；检测部，其检测变量的值，该变量表示从液供给部向贮存部供给的第...

本发明提供一种能够适当地进行基板表面的蚀刻处理的基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理装置具有：保持部，其保持基板；处理液供给部，其对被保持部保持着的所述基板供给处理液；以及电阻值变更机构，其能够变更与所述基板接触的所述保持部的电阻。

本发明提供一种基片液处理装置。本发明的一个方面的基片液处理装置包括：处理槽，其贮存用于对多个基片实施液处理的处理液；基片支承部，其在处理槽内，以多个基片各自的主面沿铅垂方向的方式支承多个基片；处理液排出部，其设置在比由基片支承部支承的多...

本发明提供一种能够在带芯片组的基板的芯片组的减薄过程中测定芯片组的厚度的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具有：保持部，其保持带芯片组的基板，该带芯片组的基板具有基板和包括多个芯片的芯片组，多个所述芯片以彼此隔开间隔的方式分别与所...

提供一种基板处理方法，其能够解决针对基板选择性地进行成膜、以及抑制成膜后的金属残留中的至少一个问题。该基板处理方法包括：提供基板的工序；向所述基板上供给用于与所述基板化学键结的单体的工序；以及向供给有所述单体的所述基板上，供给用于使所述...

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，防止上部电极周边的结露。等离子体处理装置具备处理容器、载置台、上部电极、等离子体处理部、罩构件、冷却部以及气体供给部。载置台配置于处理容器内，作为下部电极发挥功能。上部电极作为载置台的相...

本发明提供一种等离子体处理装置，涉及能够控制离子的撞击能量的技术，其包括：处理容器；在所述处理容器内载置被处理体的电极；对所述处理容器内供给等离子体的等离子体生成源；对所述电极供给所希望的波形的偏置功率的偏置电源；暴露于所述处理容器内的...

本发明提供一种测定静电吸盘的静电容量的测定方法和测定治具。所述测定方法包括以下工序：使端子与静电吸盘内的电极接触，所述静电吸盘与同地连接的基板接触；固定所述端子、所述静电吸盘和所述基板；利用与所述端子连接的电流计及电压计来测定电流值和电...