基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理装置和基片处理方法。实施方式的基片处理装置包括前处理作业线、涂敷作业线、显影处理作业线、第1输送部、第2输送部和第3输送部。前处理作业线对基片进行前处理。涂敷作业线与前处理作业线并排地配置，在进行了前处理的基片涂敷处理液。显影处理作业线配置在前处理作业线的上方或者下方，对涂敷了处理液的基片进行显影处理。第1输送部设置在前处理作业线与涂敷作业线之间，将基片从前处理作业线输送到涂敷作业线。第2输送部与第1输送部直列地配置，将基片经外部装置输送到显影处理作业线。第3输送部与第1输送部直列地配置，从显影处理作业线输送基片。本发明专利技术能够缩短基片处理装置的全长。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法
本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
专利文献1公开了一种技术，其沿第1输送作业线输送基片，且在基片形成光致抗蚀剂膜，在基片被曝光后一边沿第2输送作业线输送基片，一边对基片进行显影处理。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-158253号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种缩短基片处理装置的全长的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式的基片处理装置包括前处理作业线、涂敷作业线、显影处理作业线、第1输送部、第2输送部和第3输送部。前处理作业线对基片进行前处理。涂敷作业线与前处理作业线并排地配置，在进行了前处理的基片涂敷处理液。显影处理作业线配置在前处理作业线的上方或者下方，对涂敷了处理液的基片进行显影处理。第1输送部设置在前处理作业线与涂敷作业线之间，将基片从前处理作业线输送到涂敷作业线。第2输送部与第1输送部直列地配置，将基片经外部装置输送到显影处理作业线。第3输送部与第1输送部直列地配置，从显影处理作业线输送基片。专利技术效果依照本专利技术，能够缩短基片处理装置的全长。附图说明图1是表示第1实施方式的基片处理装置的概略构成的俯视图。图2是表示第1实施方式的基片处理装置的一部分的概略构成的左侧图。图3是表示第1实施方式的基片处理的流程图。图4A是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的的图(其1)。图4B是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其2)。图4C是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其3)。图4D是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其4)。图4E是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其5)。图4F是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其6)。图4G是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其7)。图4H是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其8)。图4I是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其9)。图4J是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其10)。图5是表示第2实施方式的基片处理装置的概略构成的俯视图。图6A是表示第2实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其1)。图6B是表示第2实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其2)。图6C是表示第2实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其3)。图6D是表示第2实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其4)。图6E是表示第2实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其5)。图6F是表示第2实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其6)。图7是表示变形例的基片处理装置的第1热处理单元的从X轴正方向观察到的概略构成的框图。附图标记说明1基片处理装置3第1处理作业线(前处理作业线)4第2处理作业线(涂敷作业线)5第3处理作业线(显影处理作业线)6减压干燥单元(载置部)7第1热处理单元(载置部、热处理部)8第2热处理单元9B第2输送部10第1输送部11第3输送部27光致抗蚀剂涂敷单元30第1加热单元(加热部)31第2冷却单元(冷却部)50第2加热单元(显影加热部)51第3冷却单元60曝光系统61曝光装置62周边装置(外部装置)。具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行详细说明。此外，不限于由以下所示的实施方式公开的基片处理装置和基片处理方法。在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向且以Z轴正方向为铅垂向上方向的正交坐标系。X轴方向和Y轴方向是水平方向。另外，此处，规定以X轴正方向为前方且以X轴负方向为后方的前后方向，规定以Y轴负方向为左方且以Y轴正方向为右方的左右方向。此外，规定以Z轴正方向为上方且以Z轴负方向为下方的上下方向。(第1实施方式)<整体构成>参照图1和图2，说明第1实施方式的基片处理装置1。图1是表示第1实施方式的基片处理装置1的概略构成的俯视图。图2是表示第1实施方式的基片处理装置1的一部分的概略构成的左侧图。基片处理装置1包括盒站2、第1处理作业线3(前处理作业线的一例)、第2处理作业线4(涂敷作业线的一例)和第3处理作业线5(显影处理作业线的一例)。此外，基片处理装置1包括减压干燥单元(DP)(载置部、减压干燥部的一例)6、第1热处理单元7(载置部、热处理部的一例)和第2热处理单元8。另外，基片处理装置1包括包含第2输送部9B的接口站9、第1输送部10、第3输送部11和控制装置12。在盒站2载置收纳多个玻璃基片S(以下称为“基片S”。)的盒C。盒站2包括在能够载置多个盒C的载置台13以及在盒C与第1处理作业线3之间、和后述的检查单元(IP)65与盒C之间进行基片S的输送的输送装置14。此外，基片S是矩形形状。另外，盒站2可以设置为外部装置。即，基片处理装置1可以为不包含盒站2的结构。输送装置14包括输送臂14a。输送臂14a能够在水平方向(前后方向和左右方向)和铅垂方向移动。此外，输送装置14能够以铅垂轴为中心旋转。第1处理作业线3对被输送到第2处理作业线4的基片S进行前处理。具体而言，第1处理作业线3包括准分子UV照射单元(e-UV)20、擦洗清洁单元(SCR)21、预热单元(PH)22、附着单元(AD)23和第1冷却单元(COL)24。在第1处理作业线3中，单元20～24并排地配置在从盒站2去往曝光系统60的曝光装置61的方向。具体而言，单元20～24按照准分子UV照射单元20、擦洗清洁单元21、预热单元22、附着单元23和第1冷却单元24的顺序沿X轴正方向配置。第1处理作业线3配置在第3处理作业线5的上方。此外，第1处理作业线3也可以配置在第3处理作业线5的下方。准分子UV照射单元20从发出紫外光的紫外光灯对基片S照射紫外光，除去附着在基片S上的有机物。擦洗清洁单元21一边对已除去了有机物的基片S供给清洗液(例如，去离子水(DIW))，一边用刷子等清洗部件对基片S的表面进行清洗。此外，擦洗清洁单元21用送风机等使已清洗的基片S干燥。预热单元22加热由擦洗清洁单元21干燥的基片S，将基片S进一步干燥。附着单元23将六甲基二硅烷(HMDS)吹到干燥的基片S，对基片S进行疏水处理。第1冷却单元24对进行了疏水处理的基片S吹冷风以冷却基片S。由第1冷却单元24冷却了的基片S被输送本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n对基片进行前处理的前处理作业线；/n涂敷作业线，其与所述前处理作业线并排地配置，在进行了所述前处理的所述基片涂敷处理液；/n显影处理作业线，其配置在所述前处理作业线的上方或者下方，对涂敷了所述处理液的所述基片进行显影处理；/n第1输送部，其设置在所述前处理作业线与所述涂敷作业线之间，将所述基片从所述前处理作业线输送到所述涂敷作业线；/n第2输送部，其与所述第1输送部直列地配置，将所述基片经外部装置输送到所述显影处理作业线；以及/n第3输送部，其与所述第1输送部直列地配置，从所述显影处理作业线输送所述基片。/n

【技术特征摘要】
20181227 JP 2018-2455251.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
对基片进行前处理的前处理作业线；
涂敷作业线，其与所述前处理作业线并排地配置，在进行了所述前处理的所述基片涂敷处理液；
显影处理作业线，其配置在所述前处理作业线的上方或者下方，对涂敷了所述处理液的所述基片进行显影处理；
第1输送部，其设置在所述前处理作业线与所述涂敷作业线之间，将所述基片从所述前处理作业线输送到所述涂敷作业线；
第2输送部，其与所述第1输送部直列地配置，将所述基片经外部装置输送到所述显影处理作业线；以及
第3输送部，其与所述第1输送部直列地配置，从所述显影处理作业线输送所述基片。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
包括载置部，其配置在所述第1输送部与所述第3输送部之间，用所述第1输送部载置涂敷了所述处理液的所述基片。


3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第3输送部能够从所述载置部输送所述基片。


4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述载置部是对涂敷了所述处理液的所述基片进行热处理的热处理部。


5.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
包括热处理部，其配置在所述第1输送部与所述第2输送部之间，用所述第1输送部从所述载置部输送所述基片，对所述基片进行热处理，
所述载置部是对涂敷了所述处理液的所述基片进行减压干燥处理的减压干燥部，
所述第2输送部从所述热处理部输送所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶原拓伸，坂井光广，八寻俊一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP