【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法
本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
专利文献1公开了一种技术,其沿第1输送作业线输送基片,且在基片形成光致抗蚀剂膜,在基片被曝光后一边沿第2输送作业线输送基片,一边对基片进行显影处理。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007-158253号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种缩短基片处理装置的全长的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式的基片处理装置包括前处理作业线、涂敷作业线、显影处理作业线、第1输送部、第2输送部和第3输送部。前处理作业线对基片进行前处理。涂敷作业线与前处理作业线并排地配置,在进行了前处理的基片涂敷处理液。显影处理作业线配置在前处理作业线的上方或者下方,对涂敷了处理液的基片进行显影处理。第1输送部设置在前处理作业线与涂敷作业线之间,将基片从前处理作业线输送到涂敷作业线。第2输送部与第1输送部直列地配置,将基片经外部装置输送到显影处理作业线 ...
【技术保护点】
1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:/n对基片进行前处理的前处理作业线;/n涂敷作业线,其与所述前处理作业线并排地配置,在进行了所述前处理的所述基片涂敷处理液;/n显影处理作业线,其配置在所述前处理作业线的上方或者下方,对涂敷了所述处理液的所述基片进行显影处理;/n第1输送部,其设置在所述前处理作业线与所述涂敷作业线之间,将所述基片从所述前处理作业线输送到所述涂敷作业线;/n第2输送部,其与所述第1输送部直列地配置,将所述基片经外部装置输送到所述显影处理作业线;以及/n第3输送部,其与所述第1输送部直列地配置,从所述显影处理作业线输送所述基片。/n
【技术特征摘要】
20181227 JP 2018-2455251.一种基片处理装置,其特征在于,包括:
对基片进行前处理的前处理作业线;
涂敷作业线,其与所述前处理作业线并排地配置,在进行了所述前处理的所述基片涂敷处理液;
显影处理作业线,其配置在所述前处理作业线的上方或者下方,对涂敷了所述处理液的所述基片进行显影处理;
第1输送部,其设置在所述前处理作业线与所述涂敷作业线之间,将所述基片从所述前处理作业线输送到所述涂敷作业线;
第2输送部,其与所述第1输送部直列地配置,将所述基片经外部装置输送到所述显影处理作业线;以及
第3输送部,其与所述第1输送部直列地配置,从所述显影处理作业线输送所述基片。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
包括载置部,其配置在所述第1输送部与所述第3输送部之间,用所述第1输送部载置涂敷了所述处理液的所述基片。
3.如权利要求2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述第3输送部能够从所述载置部输送所述基片。
4.如权利要求2或3所述的基片处理装置,其特征在于:
所述载置部是对涂敷了所述处理液的所述基片进行热处理的热处理部。
5.如权利要求2或3所述的基片处理装置,其特征在于:
包括热处理部,其配置在所述第1输送部与所述第2输送部之间,用所述第1输送部从所述载置部输送所述基片,对所述基片进行热处理,
所述载置部是对涂敷了所述处理液的所述基片进行减压干燥处理的减压干燥部,
所述第2输送部从所述热处理部输送所述基...
【专利技术属性】
技术研发人员:梶原拓伸,坂井光广,八寻俊一,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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