气体导入构造、处理装置以及处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制设置有多孔质部的气体导入管被蚀刻气体蚀刻的气体导入构造、处理装置以及处理方法。本公开的一形态的气体导入构造具有：气体导入管，其插入到处理容器内；和喷出部，其覆盖所述气体导入管的靠所述处理容器侧的端部，将供给到所述气体导入管的气体向所述处理容器内喷出，所述喷出部包括：多孔质部，其由多孔质体形成；和致密部，其设置于比所述多孔质部靠顶端侧的位置，气孔率比所述多孔质部的气孔率小。

【技术实现步骤摘要】
气体导入构造、处理装置以及处理方法
本公开涉及一种气体导入构造、处理装置以及处理方法。
技术介绍
公知有如下技术：通过以覆盖石英管的顶端部的气体导入口的方式设置多孔质部来抑制在从石英管向真空室内导入吹扫气体而恢复成常压之际的微粒的卷起，该石英管用于向真空室内导入吹扫气体(参照例如专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000-58530号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种能够抑制设置有多孔质部的气体导入管被蚀刻气体蚀刻的技术。用于解决问题的方案本公开的一形态的气体导入构造具有：气体导入管，其插入到处理容器内；和喷出部，其覆盖所述气体导入管的靠所述处理容器侧的端部，将供给到所述气体导入管的气体向所述处理容器内喷出，所述喷出部包括：多孔质部，其由多孔质体形成；和致密部，其设置于比所述多孔质部靠顶端侧的位置，气孔率比所述多孔质部的气孔率小。专利技术的效果根据本公开，能够抑制设置有多孔质部的气体导入管被蚀刻气体蚀刻。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气体导入构造，其具有：/n气体导入管，其插入到处理容器内；/n和喷出部，其覆盖所述气体导入管的靠所述处理容器侧的端部，将供给到所述气体导入管的气体向所述处理容器内喷出，/n所述喷出部包括：多孔质部，其由多孔质体形成；和致密部，其设置于比所述多孔质部靠顶端侧的位置，气孔率比所述多孔质部的气孔率小。/n

【技术特征摘要】
20181228 JP 2018-2482391.一种气体导入构造，其具有：
气体导入管，其插入到处理容器内；
和喷出部，其覆盖所述气体导入管的靠所述处理容器侧的端部，将供给到所述气体导入管的气体向所述处理容器内喷出，
所述喷出部包括：多孔质部，其由多孔质体形成；和致密部，其设置于比所述多孔质部靠顶端侧的位置，气孔率比所述多孔质部的气孔率小。


2.根据权利要求1所述的气体导入构造，其中，
所述致密部由气孔率比所述多孔质部的气孔率小的多孔质体形成。


3.根据权利要求1所述的气体导入构造，其中，
所述致密部由与所述气体导入管相同的材料形成。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的气体导入构造，其中，
所述致密部的长度比所述多孔质部的长度短。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的气体导入构造，其中，
所述致密部的外径比所述多孔质部的外径小。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的气体导入构造，其中，
所述多孔质部的长度是25mm～40mm。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的气体导入构造，其中，
所述气体导入管由石英管形成。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的气体导入构造，其中，
所述多孔质部由石英玻璃多孔体形成。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的气体导入构造，其中，
所述喷出部熔接于所述气体导入管。


10.根据权利要求1～9中任一项所述的气体导入构造，其中，
所述气体导入管从所述处理容器的下方插入，向所述处理容器的上方延伸。


11.根据权利要求1～9中任一项所述的气体导入构造，其中，
所述气体导入管从所述处理容器的下方插入，在所述处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井胜利，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP