用于处理基板的装置和方法制造方法及图纸

公开了一种基板处理装置，该基板处理装置包括：壳体，其中具有处理空间；板，其在壳体中支承基板；加热构件，其设置在板中并且加热基板；多个控制器，其控制加热构件并且具有不同的增益；温度测量构件，其测量壳体中的温度；以及控制构件，其根据壳体中的温降段、温升段和退火段切换多个控制器，以使多个控制器之一控制加热构件。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月28日提交韩国工业产权局的、申请号为10-2018-0172668的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本文中所描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和方法，更具体地，涉及一种用于通过调节控制器的增益来控制基板加热构件的基板处理装置和方法。
技术介绍
执行各种工艺来制造半导体元件，例如光刻、蚀刻、沉积、离子注入和清洁等。在这些工艺中，用于形成图案的光刻工艺在实现半导体元件的高密度集成中起着重要作用。光刻工艺包括涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺，并且在曝光工艺之前和之后执行烘烤工艺。烘烤工艺是在基板上执行热处理的工艺。当基板放置在加热板上时，通过设置在加热板中的加热构件在基板上执行热处理。通常，PID控制器用于控制加热构件。在现有技术中，通过使用具有一个PID增益的PID控制器来控制加热构件。在烘烤工艺中，壳体中的温度具有温降段、温升段和退火段。在使用具有一个PID增益的PID控制器控制加热构件的情况下，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n壳体，其中具有处理空间；/n板，其配置为在所述壳体中支承所述基板；/n加热构件，其设置在所述板中并配置为加热所述基板；/n多个控制器，其配置为控制所述加热构件，所述控制器具有不同的增益；/n温度测量构件，其配置为测量所述壳体中的温度；以及/n控制构件，其配置为根据所述壳体中的温降段、温升段和退火段切换所述多个控制器，以使所述多个控制器之一控制所述加热构件。/n

【技术特征摘要】
20181228 KR 10-2018-01726681.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
壳体，其中具有处理空间；
板，其配置为在所述壳体中支承所述基板；
加热构件，其设置在所述板中并配置为加热所述基板；
多个控制器，其配置为控制所述加热构件，所述控制器具有不同的增益；
温度测量构件，其配置为测量所述壳体中的温度；以及
控制构件，其配置为根据所述壳体中的温降段、温升段和退火段切换所述多个控制器，以使所述多个控制器之一控制所述加热构件。


2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个控制器是具有不同PID增益的多个PID控制器。


3.根据权利要求2所述的装置，其中，在所述温降段中，所述控制构件将所述多个PID控制器中的、具有相对较高P增益的PID控制器连接至所述加热构件。


4.根据权利要求2所述的装置，其中，在所述温升段中，所述控制构件将所述多个PID控制器中的、具有相对较高P增益的PID控制器连接至所述加热构件。


5.根据权利要求2所述的装置，其中，在所述退火段中，所述控制构件将所述多个PID控制器中的、具有相对较高I增益的PID控制器连接至所述加热构件。


6.根据权利要求2所述的装置，其中，在所述退火段中，所述控制构件将所述多个PID控制器中的、具有相对较高D增益的PID控制器连接至所述加热构件。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，其中，所述控制构件通过使用由所述温度测量构件测得的温度变化的斜率来确定所述温降段、所述温升段和所述退火段。


8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述控制构件在所述温度变化的斜率低于预设范围时确定所述温降段，在所述温度变化的斜率高于所述预设范围时确定所述温升段，并在所述温度变化的斜率在所述预设范围以内时确定所述退火段。


9.一种烘烤装置，其包括：
壳体，其中具有处理空间；
板，其配置为在所述壳体中支承基板；
加热构件，其设置在所述板中并配置为加热所述基板；
多个PID控制器，其配置为控制所述加热构件，所述PID控制器具有不同的PID增益；
温度测量构件，其配置为测量所述壳体中的温度；以及

【专利技术属性】
技术研发人员：李成龙，徐同赫，韩相福，李太燮，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR