用于制造半导体装置的方法和系统制造方法及图纸

本申请涉及用于制造半导体装置的方法和系统。一种半导体制造系统包括激光器和加热的结合尖端，且配置成在半导体组合件中结合裸片堆叠。所述半导体组合件包含晶片，所述晶片由对由所述激光器发射的射束光学透明的材料制造且配置成支撑包括多个半导体裸片的裸片堆叠。金属膜沉积于所述晶片上，且可由所述激光器发射的所述射束加热。所述加热的结合尖端将热和压力施加到所述裸片堆叠，在所述加热的结合尖端与所述金属膜之间压缩所述裸片堆叠，且当所述金属膜由从所述激光器发射的所述射束加热时，通过由所述加热的结合尖端和所述金属膜发射的热对所述堆叠中的裸片进行热结合。

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体装置的方法和系统
本公开大体上涉及半导体装置，且确切地说，涉及用于制造半导体装置的方法和系统。
技术介绍
包含存储器芯片、微处理器芯片和成像器芯片的封装半导体裸片通常包含安装在衬底上且包覆于保护性覆盖物中的半导体裸片。一种用于制造封装半导体裸片的技术为热压结合，它同时使用热和压力将组件结合在一起。然而，当对裸片堆叠进行群结合时，整个裸片堆叠上的大温度梯度可导致整个堆叠上的不规则结合。举例来说，堆叠顶部附近的焊料连接可能被过度加压，而堆叠底部附近的连接可能加压不足。裸片堆叠的过度加压可能导致各种问题，包含成对的接触件之间的焊料耗尽、非导电膜从堆叠周边泄漏，以及从邻近的成对接触件泄漏的焊料所造成的不当电气短路。然而，堆叠的加压不足部分可能只是部分结合或不结合。
技术实现思路
本申请的一方面是针对一种半导体制造系统，其包括：激光器；半导体组合件，其包含：包括对由所述激光器发射的射束光学透明的材料的晶片，所述晶片配置成支撑包括多个半导体裸片的裸片堆叠；以及在所述裸片堆叠下方沉积于所述晶片上且能由所述激光器发射的所述射束本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造系统，其包括：/n激光器；/n半导体组合件，其包含：/n包括对由所述激光器发射的射束光学透明的材料的晶片，所述晶片配置成支撑包括多个半导体裸片的裸片堆叠；以及/n在所述裸片堆叠下方沉积于所述晶片上且能由所述激光器发射的所述射束加热的金属膜；以及/n配置成将热和压力施加到所述裸片堆叠的加热的结合尖端，其中所述裸片堆叠被压缩在所述加热的结合尖端与所述金属膜之间，且当所述金属膜由从所述激光器发射的所述射束加热时，所述多个半导体裸片通过由所述加热的结合尖端和所述金属膜发射的热进行热结合。/n

【技术特征摘要】
20181229 US 16/236,4411.一种半导体制造系统，其包括：
激光器；
半导体组合件，其包含：
包括对由所述激光器发射的射束光学透明的材料的晶片，所述晶片配置成支撑包括多个半导体裸片的裸片堆叠；以及
在所述裸片堆叠下方沉积于所述晶片上且能由所述激光器发射的所述射束加热的金属膜；以及
配置成将热和压力施加到所述裸片堆叠的加热的结合尖端，其中所述裸片堆叠被压缩在所述加热的结合尖端与所述金属膜之间，且当所述金属膜由从所述激光器发射的所述射束加热时，所述多个半导体裸片通过由所述加热的结合尖端和所述金属膜发射的热进行热结合。


2.根据权利要求1所述的半导体制造系统，其中所述金属膜包括在所述晶片的表面上的连续薄片。


3.根据权利要求1所述的半导体制造系统，其中所述金属膜包括在所述晶片的表面上的多个不连续片段。


4.根据权利要求3所述的半导体制造系统，其中所述金属膜的每一片段具有约等于所述裸片堆叠的宽度的宽度。


5.根据权利要求3所述的半导体制造系统，其中所述金属膜的每一片段具有大于所述裸片堆叠的宽度的宽度。


6.根据权利要求3所述的半导体制造系统，其中所述金属膜的每一片段具有小于所述裸片堆叠的宽度的宽度。


7.根据权利要求1所述的半导体制造系统，其中所述晶片包括硅，且其中由所述激光器发射的所述射束是红外射束。


8.一种用于对裸片堆叠进行群结合的方法，其包括：
朝向沉积于承载所述裸片堆叠的晶片上的金属膜导引由激光器发射的射束，所述裸片堆叠具有与所述金属膜相邻的底侧和与所述底侧相对的顶侧，且所述金属膜在所述裸片堆叠的至少一部分下方沉积于所述晶片上且配置成将热传递到所述裸片堆叠的底部；以及
使用加热的结合尖端将热和压力施加到所述裸片堆叠的所述顶侧以将所述裸片堆叠压抵到所述晶片上。


9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
相对于所述晶片移动所述激光器和结合尖端；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·M·贝利斯，C·L·贝利斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US