竖直存储器系统中的感测电路技术方案

技术编号:46625207 阅读:0 留言:0更新日期:2025-10-14 21:21
本申请案涉及竖直存储器系统中的感测电路。一种设备可包含各自与一组支柱中的相应支柱耦合的一组存储器单元。一组晶体管可与所述一组支柱中的相应支柱耦合,所述一组晶体管中的每一者与所述一组存储器单元共用的数字线耦合。所述一组晶体管中的第一晶体管可包含与第一偏置线及所述一组支柱中的第一支柱耦合的第一端子,且可包含与所述数字线耦合的第二端子。所述一组晶体管中的第二晶体管可包含与第二偏置线及所述一组支柱中的第二支柱耦合的第一端子,且可包含与所述数字线耦合的栅极端子。

【技术实现步骤摘要】

涉及竖直存储器系统中的感测电路


技术介绍

1、存储器装置广泛用于存储例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及其它的装置中的信息。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储。例如,二进制存储器单元可编程到通常由逻辑1或逻辑0表示的两种支持状态中的一者。在一些实例中,单个存储器单元可支持多于两种状态,其中的任一者可被存储。为了存取存储信息,存储器装置可读取(例如感测、检测、检索、确定)来自存储器单元的状态。为了存储信息,存储器装置可将状态写入(例如编程、设置、指派)到存储器单元。

2、存在各种类型的存储器装置,其包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术、或非(nor)及与非(nand)存储器装置及其它。存储器单元可依据易失性配置或非易失性配置进行描述。配置成非易失性配置的存储器单元可本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二晶体管进一步包括与反相器的输入端子耦合的第二端子。

3.根据权利要求2所述的设备,其进一步包括:

4.根据权利要求3所述的设备,其进一步包括:

5.根据权利要求2所述的设备,其进一步包括:

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一晶体管的所述第一端子通过所述第一支柱与所述第一偏置线耦合,且其中所述第二晶体管的所述第一端子通过所述第二支柱与所述第二偏置线耦合。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一支柱与存储随机逻辑状态的所述一组存储器单元的第一子...

【技术特征摘要】

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二晶体管进一步包括与反相器的输入端子耦合的第二端子。

3.根据权利要求2所述的设备,其进一步包括:

4.根据权利要求3所述的设备,其进一步包括:

5.根据权利要求2所述的设备,其进一步包括:

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一晶体管的所述第一端子通过所述第一支柱与所述第一偏置线耦合,且其中所述第二晶体管的所述第一端子通过所述第二支柱与所述第二偏置线耦合。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一支柱与存储随机逻辑状态的所述一组存储器单元的第一子集耦合,且其中所述第二支柱与存储随机逻辑状态的未使用的所述一组存储器单元的第二子集耦合。

8.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一晶体管的栅极端子与第三偏置线耦合,且其中所述第一晶体管的所述第二端子通过所述数字线与所述第二晶体管的所述栅极端子耦合。

9.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二晶体管经配置以放大所述第二晶体管的所述第二端子处的所述数字线的电压。

10.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:

11.一种方法,其包括:

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【专利技术属性】
技术研发人员:U·迪温琴佐F·贝代斯基P·凡蒂尼
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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