【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本文中所描述的各种示例实施例涉及半导体设备，并且更具体地，涉及包括错误校正电路(error correction circuit)的半导体存储器设备。
2、半导体存储器被分类为易失性存储器或非易失性存储器设备，易失性存储器在电源关闭时丢失存储在其中的数据，非易失性存储器设备即使在电源关闭时也保留存储在其中的数据，诸如快闪存储器。各种易失性存储器设备可以包括静态随机存取存储器(sram)和/或动态随机存取存储器(dram)。各种非易失性存储器设备可以包括相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)或铁电ram(fram)中的一个或多个。
3、dram设备包括连接到字线(行线)和位线(列线)的存储器单元。通过位线，dram设备将数据存储在存储器单元中或读取存储在存储器单元中的数据。各种因素可能导致存储在dram设备中的数据中的错误。需要单独的电路和附加操作来校正在存储在dram设备中的数据中发生的错误。
技术实现思路
1、各种...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体存储器设备，其中第一ECC引擎连接到所述局部输入/输出线。
4.根据权利要求2所述的半导体存储器设备，其中所述局部感测放大器包括所述数据校正器。
5.根据权利要求2所述的半导体存储器设备，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中第一ECC引擎包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器设备，其中第二ECC引擎包括：
8.一种半导体存储器设备，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体存储器设备，其中第一ecc引擎连接到所述局部输入/输出线。
4.根据权利要求2所述的半导体存储器设备，其中所述局部感测放大器包括所述数据校正器。
5.根据权利要求2所述的半导体存储器设备，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中第一ecc引擎包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器设备，其中第二ecc引擎包括：
8.一种半导体存储器设备，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体存储器设备，其中
10.根据权利要求9所述的半导体存储器设备，其中第二半导体结构还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体存储器设备，其中第一局部感测放大器块和第二局部感测放大器块中的每一个包括所述数据...
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