本申请案涉及存储器阵列解码及互连件。薄膜晶体管可存取安置成交叉点架构的两个或更多个存储器单元层面。所述制造技术可使用形成于复合堆叠的顶层处的一或多个通路图案，其可促进在所述复合堆叠内构建所述薄膜晶体管，同时使用数目减少的处理步骤。通过利用所述通路的不同群组，可使用所述制造技术来构建所述薄膜晶体管的不同配置。此外，可使用本文中所描述的所述薄膜晶体管及基于通路的相关制造技术来构造存储器装置的电路及组件(例如解码器电路系统、一或多个存储器阵列的方面之间的互连件)。
【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、下文大体上涉及解码存储器阵列，且更具体来说，下文涉及存储器阵列解码及互连件。
2、存储器装置广泛用于存储例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物的各种电子装置中的信息。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。例如，二进制装置具有通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示的两个状态。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取所存储的信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的存储状态。为存储信息，电子装置的组件可将状态写入或编程于存储器装置中。
3、存在各种类型的存储器装置，其包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪、相变存储器(pcm)及其它。存储器装置可包含易失性存储器单元或非易失性存储器单元。非易失性存储器单元可长时间保存其所存储的逻辑状态，即使无外部电源。易失性存储器单元会随时间损失其所存储的状态，除非其由外部电源周期性刷新。
>4、改进存储器装置本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器阵列位于所述设备的第一层面处，所述设备进一步包括：
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述设备的所述第一层面包含于第一多个层面中且所述设备的所述第二层面包含于第二多个层面中，所述设备进一步包括：
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器阵列位于包含于所述设备的多个层面中的一个层面处，所述设备进一步包括：
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个晶体管中的每一晶体管进一步包括：
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个晶体管中的每一晶体管进一步包括：...
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器阵列位于所述设备的第一层面处，所述设备进一步包括：
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述设备的所述第一层面包含于第一多个层面中且所述设备的所述第二层面包含于第二多个层面中，所述设备进一步包括：
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器阵列位于包含于所述设备的多个层面中的一个层面处，所述设备进一步包括：
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个晶体管中的每一晶体管进一步包括：
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个晶体管中的每一晶体管进一步包括：
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个晶体管中的每一晶体管进一步包括：
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述多个晶体管中的每一晶体管进一步包括：
9.根据权利要求8所述的设备，其中所述多个晶体管中的每一晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·A·卡斯特罗，S·W·鲁塞尔，S·H·唐，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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