【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中所公开的至少一些实施例大体上涉及存储器系统,且更特定地(但不限于),涉及用于平衡存储于此类存储器装置中的码字且对所述码字执行错误校正的技术。
技术介绍
1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说,主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。
2、存储器装置可包含存储器集成电路,所述存储器集成电路具有形成在半导体材料的集成电路裸片上的一或多个存储器单元阵列。存储器单元是可单独使用或操作以存储数据的最小单位的存储器。通常,存储器单元可存储一或多个数据位。
3、已经针对存储器集成电路开发了不同类型的存储器单元,例如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态随机存取存储器(dram)、静态随机存取存储器(sram)、同步动态随机存取存储器(sdram)、相变存储器(pcm)、磁性随机存取存储器(mram)、“或非”(nor)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪存储器等。
【技术保护点】
1.一种方法,其包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其另外包括通过从特定格雷列表选择格雷译码来生成所述QK索引位。
3.根据权利要求2所述的方法,其另外包括通过以下操作来生成所述特定格雷列表:
4.根据权利要求3所述的方法,其中基于错误校正码(ECC)的汉明距离来识别所述分组的数目。
5.根据权利要求1所述的方法,其中组合所述有效负载、奇偶校验部分和所述QK索引位以形成码字包括串接所述有效负载、奇偶校验部分和QK索引位。
6.根据权利要求5所述的方法,其另外包括将一或多个填补位添加到所述码字。
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种方法,其包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其另外包括通过从特定格雷列表选择格雷译码来生成所述qk索引位。
3.根据权利要求2所述的方法,其另外包括通过以下操作来生成所述特定格雷列表:
4.根据权利要求3所述的方法,其中基于错误校正码(ecc)的汉明距离来识别所述分组的数目。
5.根据权利要求1所述的方法,其中组合所述有效负载、奇偶校验部分和所述qk索引位以形成码字包括串接所述有效负载、奇偶校验部分和qk索引位。
6.根据权利要求5所述的方法,其另外包括将一或多个填补位添加到所述码字。
7.根据权利要求1所述的方法,其中选择所述qk索引位包括选择数个qk索引位的二进制译码。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述码字包括多个分组,且所述方法另外包括反转所述多个分组的子集以获得qk索引。
9.根据权利要求8所述的方法,其另外包括在所述多个分组当中分配所述qk索引位。
10.一种方法,其包括:
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述码字包括经反转有效负载,其中形成所述码字的多个分组的子集经反转。
12.根据权利要求11所述的方法,其中基于所述qk索引位反转所述码字的子集包括基于所述qk...
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