存储器电路系统包括：绝缘材料及存储器单元的竖直交替层级，所述存储器单元个别包括：晶体管，其包括第一及第二源极/漏极区、沟道区及栅极；电容器，其包括第一及第二电容器电极及电容器绝缘体，所述第一电容器电极耦合到所述第一及第二源极/漏极区，且多个所述电容器的所述第二电容器电极彼此耦合；数字线，其竖向延伸穿过所述竖直交替层级，所述晶体管中的个别者的所述第二源极/漏极区中的个别者电耦合到所述数字线中的个别者；及字线，其位于所述存储器单元层级中的个别者中，所述字线包括多个所述个别晶体管的所述栅极，所述存储器单元层级中的较低者中的所述字线具有比所述存储器单元层级中的在所述较低存储器单元层级正上方的较高者中的所述字线的最小宽度更大的最小宽度。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中所公开的实施例涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。
技术介绍
1、存储器是一种类型的集成电路系统且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制作成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可被称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可被称为字线)写入到存储器单元或从存储器单元读取。数字线可沿阵列的列使存储器单元导电互连，且存取线可沿阵列的行使存储器单元导电互连。每一存储器单元可通过数字线与存取线的组合唯一地寻址。
2、存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在没有电力的情况下存储数据达延长时段。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年的保持时间的存储器。易失性存储器会消散且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保持时间。无论如何，存储器单元都经配置以按至少两种不同可选择状态保持或存储存储器。在二进制系统中，状态被视为“0”抑或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两种电平或状态的信息。
3、电容器是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器电路系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的存储器电路系统，其中所述个别存储器单元层级中的所述字线包括所述沟道区正上方的上字线及所述沟道区正下方的下字线。
3.根据权利要求2所述的存储器电路系统，其中所述个别存储器单元层级中的至少一些中的所述下字线具有比其上字线的最小宽度更大的最小宽度。
4.根据权利要求3所述的存储器电路系统，其中所述下字线的所述更大的最小宽度及所述上字线的所述最小宽度在同一竖直横截面中，所述个别存储器单元层级中的所述至少一些中的所述下字线在同一竖直横截面中横向向外延伸超过其上字线的两侧。
>5.根据权利要求2...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储器电路系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的存储器电路系统，其中所述个别存储器单元层级中的所述字线包括所述沟道区正上方的上字线及所述沟道区正下方的下字线。
3.根据权利要求2所述的存储器电路系统，其中所述个别存储器单元层级中的至少一些中的所述下字线具有比其上字线的最小宽度更大的最小宽度。
4.根据权利要求3所述的存储器电路系统，其中所述下字线的所述更大的最小宽度及所述上字线的所述最小宽度在同一竖直横截面中，所述个别存储器单元层级中的所述至少一些中的所述下字线在同一竖直横截面中横向向外延伸超过其上字线的两侧。
5.根据权利要求2所述的存储器电路系统，其中所述个别存储器单元层级中的至少一些中的所述下字线具有与其上字线的最小宽度相同的最小宽度。
6.根据权利要求5所述的存储器电路系统，其中所述个别存储器单元层级中的每一者中的所述下字线具有与其上字线的最小宽度相同的最小宽度。
7.根据权利要求1所述的存储器电路系统，其中所述个别存储器单元层级中的所述字线中的每一者的所述最小宽度大于紧贴在其正上方的所述个别存储器单元层级中的所述字线的所述最小宽度。
8.根据权利要求7所述的存储器电路系统，其中所述个别存储器单元层级中的所述字线包括所述沟道区正上方的上字线及所述沟道区正下方的下字线。
9.根据权利要求8所述的存储器电路系统，其中所述个别存储器单元层级中的每一者中的所述下字线具有比其上字线的最小宽度更大的最小宽度。
10.根据权利要求9所述的存储器电路系统，其中所述下字线的所述更大的最小宽度及所述上字线的所述最小宽度在同一竖直横截面中，所述下字线在...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·M·考尔道，D·戴寇克，A·廖，李时雨，刘海涛，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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