图形化衬底、发光二极管及其制备方法技术

技术编号:46625730 阅读:4 留言:0更新日期:2025-10-14 21:22
本公开公开了一种图形化衬底、发光二极管及其制备方法,属于半导体技术领域。所述图形化衬底包括衬底本体、位于所述衬底本体的表面具有多个第一凸起和多个第二凸起,所述多个第一凸起间隔排布形成多个第一六边形,所述多个第二凸起间隔排布形成多个第二六边形,每个所述第二六边形位于一个所述第一六边形内;所述第一凸起和所述第二凸起均为圆锥状,所述第一凸起的高度大于所述第二凸起的高度,所述第一凸起的底面直径大于所述第二凸起的底面直径。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体,特别涉及一种图形化衬底、发光二极管及其制备方法


技术介绍

1、发光二极管(light emitting diode,led)是一种能发光的半导体电子元件。

2、相关技术中,发光二极管通常包括衬底和位于衬底上的外延结构。其中,衬底通常采用图形化衬底,也即衬底的表面形成阵列布置的多个凸起,以提升发光二极管的发光效率。

3、但相关技术中图形化衬底对于发光二极管的发光效率的提升还有进一步优化空间。


技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种图形化衬底、发光二极管及其制备方法,可以进一步增强图形化衬底对于发光二极管的发光效率的提升。所述技术方案如下:

2、第一方面,提供了一种图形化衬底,所述图形化衬底包括衬底本体、位于所述衬底本体的表面具有多个第一凸起和多个第二凸起,所述多个第一凸起间隔排布形成多个第一六边形,所述多个第二凸起间隔排布形成多个第二六边形,每个所述第二六边形位于一个所述第一六边形内;

3、所述第一凸起和所述第二凸起均为圆锥状,所述第一凸起的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图形化衬底,其特征在于,所述图形化衬底(10)包括衬底本体(11)、位于所述衬底本体(11)的表面具有多个第一凸起(12)和多个第二凸起(13),所述多个第一凸起(12)间隔排布形成多个第一六边形(100),所述多个第二凸起(13)间隔排布形成多个第二六边形(200),每个所述第二六边形(200)位于一个所述第一六边形(100)内;

2.根据权利要求1所述的图形化衬底,其特征在于,所述多个第一六边形(100)中相邻的两个所述第一六边形(100)共用两个顶点,且相邻的两个所述第一六边形(100)重叠的部分为平行四边形;

3.根据权利要求2所述的图形化衬底,其...

【技术特征摘要】

1.一种图形化衬底,其特征在于,所述图形化衬底(10)包括衬底本体(11)、位于所述衬底本体(11)的表面具有多个第一凸起(12)和多个第二凸起(13),所述多个第一凸起(12)间隔排布形成多个第一六边形(100),所述多个第二凸起(13)间隔排布形成多个第二六边形(200),每个所述第二六边形(200)位于一个所述第一六边形(100)内;

2.根据权利要求1所述的图形化衬底,其特征在于,所述多个第一六边形(100)中相邻的两个所述第一六边形(100)共用两个顶点,且相邻的两个所述第一六边形(100)重叠的部分为平行四边形;

3.根据权利要求2所述的图形化衬底,其特征在于,所述第二六边形(200)的六个顶点与所述第一六边形(100)的中心的距离相等。

4.根据权利要求3所述的图形化衬底,其特征在于,所述第二六边形(200)的任一顶点与所述第一六边形(100)的中心的距离,等于所述第二六边形(...

【专利技术属性】
技术研发人员:席庆男江汉吕鹏宇
申请(专利权)人:京东方华灿光电浙江有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1