【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，更具体的说，涉及一种太阳能电池的制备方法和由该方法制得的太阳能电池。
技术介绍
1、隧穿氧化层钝化接触（tunnel oxide passivating contacts，topcon）电池是光伏晶硅电池的一种。topcon电池主要使用n型硅基底为载体，在硅基底的背面制备一层极薄的氧化硅层即隧穿氧化层，然后再沉积一层磷掺杂的微晶非晶混合硅薄膜，混合硅薄膜在退火过程中结晶性发生变化，转变为多晶，氧化硅层与磷掺杂的多晶硅薄膜二者共同在硅基底的背面形成钝化接触结构。topcon电池的超薄氧化硅层利用量子隧穿效应，可允许多子隧穿而阻挡少子透过，在磷掺杂的多晶硅薄膜上沉积一层金属作为电极，电极不需要通过贯穿钝化接触结构的导电孔与硅基底接触就可以完成电流传输，从而降低了电池电极处复合而造成的效率损失。另外，磷掺杂的多晶硅层可以进一步降低表面复合造成的效率损失，从而提高电池效率。近年来，topcon电池由于其高转换效率、低衰减性能、高量产性价比等明显优势，受到广泛关注和研究。topcon电池理论极限转换效率高达28.7%，是最接...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括，控制硼掺杂使得所述硅基底的所述第一表面的方阻为200-800ohm/sq。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，对所述硅基底的硼掺杂包括对所述硅基底的硼扩散和对所述硅基底的高温氧化，所述硼扩散在第一温度范围内执行，所述高温氧化处理在第二温度范围内执行，所述第二温度范围的最小值大于所述第一温度范围的最大值。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一温度范围为...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤s2进一步包括，控制硼掺杂使得所述硅基底的所述第一表面的方阻为200-800ohm/sq。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，对所述硅基底的硼掺杂包括对所述硅基底的硼扩散和对所述硅基底的高温氧化，所述硼扩散在第一温度范围内执行，所述高温氧化处理在第二温度范围内执行，所述第二温度范围的最小值大于所述第一温度范围的最大值。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一温度范围为700-900℃，所述第二温度范围为950-1050℃；或者，
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤s2在具有高温热场的硼扩散机中进行。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，对所述硅基底进行硼掺杂包括依次对所述硅基底进行硼扩散和激光掺杂，或者，
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤s9包括：
8.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤s9和所述步骤s10中，所述电压的范围为10-20v。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤s10中，所述激光的扫描速度为20000-100000mm/s，或者；
10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤s10中，所述激光的波长为350-1500nm，功率为10-100w，或者；
11.根据权利要求10所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤s10中，所述激光为条状光斑，所述条状光斑的长度为0.5-5mm，所述条状光斑的宽度为80-1000μm。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤s10中，所述激光的扫描速度为20000-60000mm/s，所述激光扫描金属栅线上各位置的时间为10-40μs。
13.根据权利要求10...
【专利技术属性】
技术研发人员：范伟，林佳继，张武，
申请(专利权)人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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