【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体材料加工领域，具体涉及一种测温结构及反应炉。
技术介绍
1、在半导体材料生产制造的工艺制程中，涉及在反应炉的反应腔中进行的步骤，温度是一个极其关键的参数。
2、传统的，采用非接触式的高温辐射测量法测量反应腔中待测位置的温度，使用红外线温度计对准待测位置，然后读取显示屏上的温度值，得出所需的温度。然而，这样的测温方法响应时间较长，难以实时监控待测位置的温度。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种能实时监控反应腔中待测位置温度的测温结构。
2、本申请的一实施例提供了一种测温结构，用于反应炉，反应炉包括炉管，测温结构设置于炉管的内壁。测温结构还包括测温层和保护层。测温层包括相连接的正极导电部和负极导电部，其中，正极导电部和负极导电部的连接处形成一热电接点，热电接点位于炉管内的待测位置，保护层设置于测温层背向炉管的一侧，以保护测温层。
3、本申请的一些实施例中，正极导电部包括正极浆体膜和正极引线，正极引线设于正极浆体膜，负极导电部包括负极浆...
【技术保护点】
1.一种测温结构，用于反应炉，所述反应炉包括炉管，所述测温结构设置于所述炉管的内壁，其特征在于，所述测温结构包括：
2.根据权利要求1所述的测温结构，其特征在于：所述正极导电部包括正极浆体膜和正极引线，所述正极引线设于所述正极浆体膜，所述负极导电部包括负极浆体膜和负极引线，所述负极引线设于所述负极浆体膜，所述正极浆体膜与所述负极浆体膜相连接，使所述正极引线与所述负极引线电连接。
3.根据权利要求2所述的测温结构，其特征在于：所述正极浆体膜与所述负极浆体膜的厚度相同，且所述正极浆体膜与所述负极浆体膜对称设置。
4.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种测温结构，用于反应炉，所述反应炉包括炉管，所述测温结构设置于所述炉管的内壁，其特征在于，所述测温结构包括：
2.根据权利要求1所述的测温结构，其特征在于：所述正极导电部包括正极浆体膜和正极引线，所述正极引线设于所述正极浆体膜，所述负极导电部包括负极浆体膜和负极引线，所述负极引线设于所述负极浆体膜，所述正极浆体膜与所述负极浆体膜相连接，使所述正极引线与所述负极引线电连接。
3.根据权利要求2所述的测温结构，其特征在于：所述正极浆体膜与所述负极浆体膜的厚度相同，且所述正极浆体膜与所述负极浆体膜对称设置。
4.根据权利要求1所述的测温结构，其特征在于：所述测温结构还包括过渡层和绝缘层，所述过渡层设于所述炉管的内壁，所述绝缘层、所述测温层和所述保护层依次层叠于所述过渡层，所述绝缘层用于使所述炉管与所述测温层绝缘。
5.根据权利要求4所述的测温结构，其特征在于：所述保护层和所述绝缘层均包括氧化物膜和/或氮化...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄小琳，田政权，万法琦，
申请(专利权)人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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