JFET区浅槽结构的平面碳化硅功率器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种JFET区浅槽结构的平面碳化硅功率器件及其制备方法。该JFET区浅槽结构的平面碳化硅功率器件包括碳化硅衬底；第一导电类型漂移区，形成于第一导电类型碳化硅衬底上；第二导电类型阱区，形成在第一导电类型漂移区两侧；第一导电类型重掺杂源区，形成在第二导电类型阱区上部；第二导电类型重掺杂区，形成在第二导电类型阱区上部，与第一导电类型重掺杂源区相邻接；JFET区浅槽，形成在第一导电类型漂移区中，与两侧第二导电类型阱区相间隔；栅氧层，形成于JFET区浅槽表面；多晶硅栅，填充JFET区浅槽；介质隔离层，覆盖多晶硅栅；源极，形成于多晶硅栅两侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及jfet区浅槽结构的平面碳化硅功率器件及其制备方法。

技术介绍

1、碳化硅由于其优异的材料性能，被广泛应用于功率器件领域。此外碳化硅可以通过热氧化获得二氧化硅，使其在工艺实现上与现有硅基工艺更加兼容。随着对高温、高频、大功率及抗辐射器件需求的日益增长，以碳化硅为代表的宽禁带半导体在电子器件领域中的应用越来越广泛。

2、在现有的碳化硅功率mosfet器件结构中，双扩散平面型结构(vd-mosfet)其制造工艺相对简单，垂直的导通路径使得器件面积缩小的同时，还能兼具高的耐压特性。但其结构固有的jfet区，使得器件导通电阻大大增加。为此后续发展出的沟槽结构(trench-mosfet)，依靠垂直栅极沟槽消除了jfet区的存在，大大降低了导通电阻，但沟槽拐角处电场集中导致栅氧可靠性下降。为此后续推出的源极双沟槽，半包围沟槽等结构均试图提高栅氧可靠性，但这些均大幅增加了工艺复杂度，并且对于碳化硅材料的深沟槽刻蚀本身便具有较大的工艺挑战。

3、基于上述问题，如何在导通电阻-击穿电压之间得到良好权衡的同时，兼顾制造工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种JFET区浅槽结构的平面碳化硅功率器件制备方法，其特征在于，

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3.根据权利要求2所述的JFET区浅槽结构的平面碳化硅功率器件制备方法，其特征在于，

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6.一种JFET区浅槽结构的平面碳化硅功率器件，其特征在于，

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【技术特征摘要】

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5.根据权利要求1所述的jfet区浅槽结构的平面碳化硅功率器件制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪杨浩，徐航，孙清清，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：