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本发明公开一种JFET区浅槽结构的平面碳化硅功率器件及其制备方法。该JFET区浅槽结构的平面碳化硅功率器件包括碳化硅衬底；第一导电类型漂移区，形成于第一导电类型碳化硅衬底上；第二导电类型阱区，形成在第一导电类型漂移区两侧；第一导电类型重掺杂...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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