一种TBC电池的制备方法以及TBC电池技术

本公开提供了一种TBC电池的制备方法以及TBC电池，通过在电池加工过程中进行两次硼掺杂处理，针对第一次硼掺杂处理，对正极区域、间隔区域和负极区域对应的本征非晶硅层均进行硼掺杂处理，此时得到的硼掺杂多晶硅层的硼掺杂浓度较低，硼掺杂多晶硅层易于清洗干净，在去除间隔区域和负极区域对应的硼掺杂多晶硅层后，对正极区域对应的硼掺杂多晶硅层进行第二次硼掺杂处理，此时得到的正极区域对应的硼掺杂多晶硅层的硼掺杂浓度较高。这样制备得到的TBC电池，正极区域对应的硼掺杂多晶硅层的硼掺杂浓度较高，有助于提高P区的硼的掺杂量，改善P区的钝化性能，负极区域和间隔区域对应的硼掺杂多晶硅层由于硼掺杂浓度较低而易于清洗，有效提高电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及太阳能电池，具体而言，涉及一种tbc电池的制备方法以及tbc电池。

技术介绍

1、随着全球对清洁能源的需求日益增长，以及传统太阳能电池技术在效率提升和成本控制方面逐渐遇到瓶颈，隧穿氧化层钝化接触背接触(tunneling oxide passivatedcontact back contact，tbc)电池应运而生。其是将隧穿氧化钝化接触技术(tunnel oxidepassivated contact，topcon)应用于背接触太阳能电池(interdigitated back contact，ibc)，通过在电池背面采用隧穿结技术实现电极的背接触有效避免了正面电极遮挡对光吸收的影响，从而提高了电池的光电转换效率。

2、在制备tbc电池时，需要制备硼掺杂的多晶硅层。tbc电池的关键是正极区域(p区)钝化工艺，为了保障钝化效果，需要提高硼的掺杂浓度，然而硼在高掺杂浓度的多晶硅层中容易出现团簇现象，导致负极区域(n区)硼掺杂的多晶硅层清洗不干净存在残留，限制电池效率的提升。因此，如何既能保障p区的硼的掺杂浓度，同时又能保障n区清洗干净，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TBC电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硼掺杂处理后的硼掺杂多晶硅层的厚度为80nm-200nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硼掺杂处理为热扩散硼掺杂处理，所述热扩散硼掺杂处理所采用的沉积温度为800℃-840℃，所采用的氧化推进温度为930℃-960℃，所采用的时长为120min-150min。

4.根据权利要求1所述的方法，特征在于，所述第一硼掺杂处理后的硼掺杂多晶硅层的硼掺杂浓度为5e18 atom/cm3-2e19 atom/cm3，方阻大于150Ω/□...

【技术特征摘要】

1.一种tbc电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硼掺杂处理后的硼掺杂多晶硅层的厚度为80nm-200nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硼掺杂处理为热扩散硼掺杂处理，所述热扩散硼掺杂处理所采用的沉积温度为800℃-840℃，所采用的氧化推进温度为930℃-960℃，所采用的时长为120min-150min。

4.根据权利要求1所述的方法，特征在于，所述第一硼掺杂处理后的硼掺杂多晶硅层的硼掺杂浓度为5e18 atom/cm3-2e19 atom/cm3，方阻大于150ω/□。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硼掺杂处理为激光硼掺杂处理，所述激光硼掺杂处理所采用的激光器为连续激光器，所采用的激光的功率为100w-250w，所采用的激光的波长为355nm-1300nm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：晏恒峰，戴燕华，刘冲，
申请(专利权)人：常州英诺激光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：