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本申请案涉及存储器阵列解码及互连件。薄膜晶体管可存取安置成交叉点架构的两个或更多个存储器单元层面。所述制造技术可使用形成于复合堆叠的顶层处的一或多个通路图案，其可促进在所述复合堆叠内构建所述薄膜晶体管，同时使用数目减少的处理步骤。通过利用所...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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