存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本申请提供一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括连接在位线与源极线之间的串，其中所述串包括一个或多个存储器单元、连接在一个或多个存储器单元与位线之间的漏极选择晶体管、以及连接在一个或多个存储器单元与源极线之间的第一和第二源极选择晶体管以及缓冲源极选择晶体管，其中第一和第二源极选择晶体管具有不同的阈值电压，并且缓冲源极选择晶体管处于擦除状态。

【技术实现步骤摘要】

本公开的多种实施例总体上涉及一种存储器装置和该存储器装置的操作方法，并且更具体地涉及一种具有三维（3d）结构的存储器装置以及操作具有3d结构的存储器装置的方法。

技术介绍

1、存储器装置可以包括存储数据的存储器单元阵列和执行编程操作、读取操作或擦除操作的外围电路。

2、存储器单元阵列可以包括多个存储块，每个存储块可以包括多个存储器单元。

3、外围电路可以包括响应于从外部控制器发送的命令而控制存储器装置的整体操作的控制电路和在控制电路的控制下执行编程操作、读取操作或擦除操作的电路。

4、存储器装置可以形成为包括水平布置在衬底上的存储器单元的二维（2d）结构，或者形成为包括垂直堆叠在衬底上的存储器单元的三维（3d）结构。

5、在形成为3d结构的存储器单元阵列中，存储器单元和选择晶体管的大小以及存储器单元之间或选择晶体管之间的空间小于形成为2d结构的存储器单元阵列中的存储器单元和选择晶体管，从而导致存储器单元阵列中的泄漏。

技术实现思路

1、本公开实施例可以提供一种存本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，

6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，

7.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，

9.一种存储器装置，包括：

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，

12....

【技术特征摘要】

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，

6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，

7.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，

9.一种存储器装置，包括：

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，

13.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，

14.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐文植，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：