【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种电子器件及制造该电子器件的方法，更具体地，涉及一种半导体器件及制造该半导体器件的方法。
技术介绍
1、半导体器件的集成度主要由单位存储单元所占的面积来确定。最近，随着存储单元在衬底上形成为单层的半导体器件的集成度提高达到极限，提出了将存储单元在衬底上堆叠的三维半导体器件。此外，为了提高半导体器件的操作可靠性，正在开发多种结构和制造方法。
技术实现思路
1、根据本公开的实施例，一种半导体器件可以包括：行线；与行线交叉的第一列线；与行线交叉的第二列线；第一存储单元，其位于行线和第一列线之间并且包括与第一列线相邻的第一可变电阻图案和与行线相邻的第一开关图案；以及第二存储单元，其位于行线和第二列线之间并且包括与行线相邻的第二可变电阻图案和与第二列线相邻的第二开关图案。
2、根据本公开的实施例，一种半导体器件可以包括：行线；与行线交叉的列线；以及位于行线和列线之间的存储单元，存储单元中的第一存储单元可以包括第一可变电阻图案和位于第一可变电阻图案上的第一开关图案，存储单元中的...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一开关图案和所述第二可变电阻图案位于基本相同的水平处。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二开关图案和所述第一可变电阻图案位于基本相同的水平处。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一存储单元还包括：第一下电极图案、位于所述第一下电极图案上的第一中间电极图案、和位于所述第一中间电极图案上的第一上电极图案，以及所述第二存储单元还包括：第二下电极图案、位于所述第二下电极图案上的第二中间电极图案、和位于所述第二中间电极图案上的第二上电极图
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【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一开关图案和所述第二可变电阻图案位于基本相同的水平处。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二开关图案和所述第一可变电阻图案位于基本相同的水平处。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一存储单元还包括：第一下电极图案、位于所述第一下电极图案上的第一中间电极图案、和位于所述第一中间电极图案上的第一上电极图案，以及所述第二存储单元还包括：第二下电极图案、位于所述第二下电极图案上的第二中间电极图案、和位于所述第二中间电极图案上的第二上电极图案。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一开关图案位于所述第一下电极图案和所述第一中间电极图案之间，以及所述第一可变电阻图案位于所述第一中间电极图案和所述第一上电极图案之间。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二可变电阻图案位于所述第二下电极图案和所述第二中间电极图案之间，以及所述第二开关图案位于所述第二中间电极图案和所述第二上电极图案之间。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一可变电阻图案的宽度与所述第二开关图案的宽度基本相同，以及所述第二可变电阻图案的宽度与所述第一开关图案的宽度基本相同。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一开关图案的宽度大于所述第一可变电阻图案的宽度，以及所述第二可变电阻图案的宽度大于所述第二开关图案的宽度。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一衬垫层对是第一对第一衬垫层，以及所述第二衬垫层对是第一对第二衬垫层，所述器件还包括：
11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第三衬垫层对是第一对第三衬垫层，以及所述第四衬垫层对是第一对第四衬垫层，所述器件还包括：
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一开关图案或所述第二开关图案或两者包括：砷as、硒se、硫s或碲te中的至少一种。
13.一种半导体器件，包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：李承润，金泰勋，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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