【技术实现步骤摘要】
本公开的多种实施例总体上涉及半导体技术，更具体地说，涉及用于在半导体器件中形成精细图案的方法。
技术介绍
1、随着半导体器件变得更小、集成度更高，正在开发用于形成精细图案的方法。对于现有的光刻工艺，正在开发新的曝光设备来形成精细图案，但在形成线宽低于预定临界尺寸的图案方面存在局限性。因此，需要新的方法。
技术实现思路
1、本专利技术的实施例涉及一种用于形成图案的方法(该方法可以降低工艺难度并确保工艺裕度)，以及一种用于使用该图案制造半导体器件的方法。
2、根据本专利技术的实施例，一种半导体器件包括：隔离层，其在第一方向和第二方向上限定多个有源区；波浪形图案的多个沟槽，其在第一方向上延伸以穿过有源区和隔离层，多个沟槽在第二方向上彼此间隔开；以及埋栅结构，其间隙填充沟槽，其中，沟槽对应于有源区，并且每个有源区设置一个沟槽。
3、根据本专利技术的另一个实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成隔离层和由隔离层限定的有源区；在衬底之上形成沿第一方向延伸的波浪形...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽中的每一个都设置在对应有源区的中心。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，基于每个有源区的长轴，所述波浪形图案具有大约45°至135°的倾斜角。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区中的每一个还包括：
5.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述波浪形牺牲图案包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一掩模图案和所述第二掩模图案是通过使用极紫...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽中的每一个都设置在对应有源区的中心。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，基于每个有源区的长轴，所述波浪形图案具有大约45°至135°的倾斜角。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区中的每一个还包括：
5.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述波浪形牺牲图案包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一掩模图案和所述第二掩模图案是通过使用极紫外线euv来图案化的。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述沟槽具有沿所述第一方向延伸的波浪形图案，以及
9.根据权利要求6所述的方法，还包括：
10.根据权利要求5所述的方法，其中，所述牺牲图案包括复合材料，所述复合材料包括si、o、n和c中的至少一种。
11.根据权利要求5所述的方法，其中，所述牺牲图案包括硅、多晶硅、非晶硅和氮化硅中的至少一种。
12.根据权利要求5所述的方法，其中，所述间隔件包括复合材料，所述复合材料包括si、o、n和ti中的至少一种。
13.根据权利要求5所述的方法，其中，所述间隔件包括氧化硅或氮化钛，所述氧化硅是超低温氧化物ulto。
14.根据权利要求9所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：金裕松，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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