【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第18/624,371号专利申请案的优先权(即优先权日为“2024年4月2日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种半导体结构及该半导体结构的制备方法。特别是有关于一种包括水平排列的存储器晶粒的半导体结构及一种该半导体结构的制备方法。
技术介绍
1、半导体元件用于多种电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。半导体元件通常通过在半导体基底上依序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用微影对各种材料层进行图案化以在其上形成电路部件和元件来制造。随着半导体产业发展到先进技术制程节点，追求更大的元件密度、更高的效能和更低的成本，在不增加尺寸的情况下提高效能的挑战已经出现。
2、上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种半导体结构。该半导体结构包括一逻辑晶圆；一第一正面重分...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一存储器晶粒通过该第一正面重分布层电性连接到该第一互连晶粒中的该第一通孔。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二存储器晶粒通过该第一正面重分布层电性连接到该第一互连晶粒中的该第二通孔。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一存储器晶粒和该第二存储器晶粒通过该第一正面重分布层而分别电性连接到该逻辑晶圆。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一通孔和该第二通孔穿透该第一互连晶粒。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第一...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一存储器晶粒通过该第一正面重分布层电性连接到该第一互连晶粒中的该第一通孔。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二存储器晶粒通过该第一正面重分布层电性连接到该第一互连晶粒中的该第二通孔。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一存储器晶粒和该第二存储器晶粒通过该第一正面重分布层而分别电性连接到该逻辑晶圆。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一通孔和该第二通孔穿透该第一互连晶粒。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第一互连晶粒的一厚度在30到70微米的范围内。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一正面重分布层、该第一存储器晶粒、该第二存储器晶粒和该第一互连晶粒设置在一第一重构晶片中，且该半导体结构还包括：
8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第一重构晶片还包括：
9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：施信益，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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