【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关一种半导体结构及一种形成半导体结构的方法。
技术介绍
1、随着现代科技的进步，集成电路与电子产品追求尺寸缩小以符合高度整合与高密度的趋势。在传统平面沟槽式电容动态随机存取存储器(dram)中，金属氧化物半导体(mos)晶体管的源极、栅极与漏极水平地位于基板的顶面。源极与漏极之间的距离决定栅极的通道长度。
2、虽然小的元件(例如晶体管)有助于芯片尺寸微缩，但小的通道长度会引起漏电流问题。此外，双功函数工艺虽可改善栅极引发漏极漏电(gate-induced drain leakage，gidl)，但低功函数(如多晶硅)的电阻是高的。
技术实现思路
1、根据本揭露的一些实施方式，一种半导体结构包括基板、栅极介电层与栅极结构。基板具有阵列区与邻接阵列区的周围区，其中基板的周围区具有凹槽。栅极介电层位于凹槽的表面上。栅极结构位于凹槽中且包括第一功函数层与第二功函数层。第一功函数层位于栅极介电层上。第二功函数层位于第一功函数层上且由第一功函数层围绕，其中第一功函数层位于第二功函...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二功函数层的该功函数高于该第一功函数层的该功函数。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一功函数层的材料包括多晶硅，该第二功函数层的材料包括氮化钛。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该第二功函数层的该顶面与该第一功函数层的该顶面高于该第二介电层的顶面。
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该栅极介电层依序沿该第一介电层...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二功函数层的该功函数高于该第一功函数层的该功函数。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一功函数层的材料包括多晶硅，该第二功函数层的材料包括氮化钛。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该第二功函数层的该顶面与该第一功函数层的该顶面高于该第二介电层的顶面。
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该栅极介电层依序沿该第一介电层的侧壁与该第二介电层的侧壁延伸至该隔离层的侧壁。
7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该第一功函数层具有位于该第二功函数层与该隔离层之间的一部分。
8.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该第一功函数层具有位于该第二功函数层与该第二介电层之间的一部分。
9.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该第一功函数层具有位于该第二功函数层与该第一介电层之间的一部分。
10.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该基板的该阵列区具有沟槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄英政，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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