【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体存储器装置。
技术介绍
1、半导体存储器装置不仅应用于小型电子装置，而且应用于诸如汽车、医疗保健和数据中心的各种领域中的电子装置。因此，对半导体存储器装置的需求不断增加。
2、半导体存储器装置包括用于存储数据的多个存储器单元。为了增加半导体存储器装置的集成度，可减小存储器单元的尺寸，或者可在基板上方层叠多个存储器单元。随着存储器单元的尺寸减小并且存储器单元的数量增加，半导体存储器装置的操作可靠性可能劣化。
技术实现思路
1、根据实施方式，一种半导体存储器装置可包括：数据存储层；字线，其与数据存储层交叠；以及阻挡绝缘层，其插置在数据存储层和字线之间并且包括超晶格结构。
2、根据实施方式，一种半导体存储器装置可包括：多条字线，其彼此分离地层叠；沟道层，其在多条字线的层叠方向上延伸以穿透多条字线；阻挡绝缘层，其插置在沟道层和多条字线中的每一条之间，其中，阻挡绝缘层包括超晶格结构、插置在沟道层和阻挡绝缘层之间的...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述阻挡绝缘层包括一对或更多对介电层，各对介电层包括设置在从所述数据存储层朝着所述字线的方向上的第一介电层和第二介电层。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一介电层和所述第二介电层中的每一个包括结晶氧化物。
6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述阻挡绝缘层包括一对或更多对介电层，各对介电层包括设置在从所述数据存储层朝着所述字线的方向上的第一介电层和第二介电层。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一介电层和所述第二介电层中的每一个包括结晶氧化物。
6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一介电层和所述第二介电层中的一个包括铁电材料，并且所述第一介电层和所述第二介电层中的另一个包括反铁电材料。
7.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一介电层包括不同于所述第二介电层的晶相。
8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述第一介电层和所述第二介电层中的一个包括正交晶相，并且所述第一介电层和所述第二介电层中的另一个包括四方晶相。
9.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一介电层包括不同于所述第二介电层的晶相分布。
10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第一介电层和所述第二介电层中的每一个包括正交晶相、四方晶相和单斜晶相，并且
11.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一介电层和所述第二介电层中的一个包括氧化铪hfo2层，并且所述第一介电层和所述第二介电层中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：具元泰，徐东益，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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