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一种半导体存储器装置包括：数据存储层；字线，其与数据存储层交叠；以及阻挡绝缘层，其插置在数据存储层和字线之间并且包括超晶格结构。...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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