一种用于制造半导体器件的方法，其包括：在衬底之上形成堆叠体；在堆叠体的第一区中形成包括双间隔件的牺牲垂直结构；在堆叠体的第二区中形成包括单间隔件的分离狭缝，以与牺牲垂直结构间隔开；通过去除牺牲垂直结构，在堆叠体的第一区中形成垂直开口；以...

公开了一种图像传感器、图像处理系统和图像传感器的操作方法。图像传感器包括第一抽头像素、第二抽头像素和溢出检测电路，所述溢出检测电路适用于检测从所述第一抽头像素输出的第一抽头像素信号的溢出和从所述第二抽头像素输出的第二抽头像素信号的溢出，...

提出了一种包括凸块的封装装置及其制造方法。在制造封装装置的方法中，形成覆盖包括第一连接焊盘和第二连接焊盘的封装基座的介电层并且在封装基座上方形成下层。形成与介电层交叠的多个虚设凸块。形成覆盖虚设凸块，填充虚设凸块之间的区域的密封图案。通...

本公开涉及制造半导体装置的方法。一种制造半导体装置的方法包括：在基板上形成第一光致抗蚀剂层；在第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层。该方法还包括通过向第二光致抗蚀剂层和第一光致抗蚀剂层的一些部分照射曝光用光，在第一光致抗蚀剂层中形成具...

本公开涉及半导体器件以及制造方法。根据实施例的半导体器件包括第一堆叠结构，第一堆叠结构包括第一基体、设置在第一基体的表面上方的第一连接焊盘以及与第一连接焊盘相邻设置的第一焊盘缓冲层，第一焊盘缓冲层包括具有多孔结构的绝缘材料。此外，该半导...

本发明涉及一种电力分配网络和半导体装置，该半导体装置可以包括：多个芯片焊盘；第一分配层，设置有多个分别具有不同尺寸的矩形形状的第一导线；第二分配层，设置有多条第二导线，多条第二导线包括中心十字形导线和向第二分配层的各个角开口的L形导线；...

本公开涉及用于执行目标刷新操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：存储单元区域，包括多个行；行锤控制电路，包括第一队列和第二队列，以及被配置成：根据激活命令而从由行地址指示的行读取计数数据，根据计数数据与第一设定值的比较结果将...

本发明涉及一种控制器。控制器包括：数据分离器，被配置为将主机写入数据分离为高位数据和低位数据；地址生成器，被配置为基于主机地址生成第一地址和第二地址；命令生成器，被配置为生成用于将高位数据写入存储器中基于第一地址而选择的第一存储区域中的...

本公开描述了减少非易失性存储器中的解码器的延迟的装置、系统和方法。示例方法包括：接收基于从低密度奇偶校验(LDPC)码生成的传输码字的噪声码字，LDPC码具有相关联的奇偶校验矩阵，该奇偶校验矩阵包括多个循环矩阵列；执行排序操作，该排序操...

本公开涉及具有层叠结构的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：第一层叠结构，其包括具有通过入射光的转换生成像素信号的单位像素的第一基板和具有连接到单位像素的第一导电线的第一互连层；第二层叠结构，其包括具有操作单位像素以读出从单位像素生...

提供一种单个存储器封装体和存储器模块。单个存储器封装体，包括：基板；以及存储器芯片和缓冲器芯片，该存储器芯片和缓冲器芯片被集成在基板之上，其中，存储器芯片包括被嵌入该存储器芯片中的接口调制器，以及接口调制器是包括多电平幅度调制器的串行化...

公开了可变电阻元件和包括可变电阻元件的半导体装置。在一些实施方式中，可变电阻元件可以包括自由层、钉扎层以及隧道阻挡层，所述自由层具有可变的磁化方向，其在施加磁场时在不同的磁化方向之间切换，所述钉扎层具有固定的磁化方向，所述隧道阻挡层介于...

公开了一种图像传感器，包括：缓冲器电路，其适于基于至少一个第一信号而产生至少一个第二信号，第二信号在稳定时段和比较时段中的每一个期间被控制；比较电路，其适于基于第二信号而使用在稳定时段期间具有相对地高电平以及在比较时段期间具有相对地低电...

本公开涉及图像处理装置和图像处理方法。图像处理装置包括：判定像素管理器，其用于设置有缺陷的候选像素的判定区域，以及基于判定区域中所包括的像素的关于感测光源的第一调制频率的第一相位信息在像素之中确定第一判定像素和第二判定像素；目标像素确定...

一种存储器件，包括：多个第一单元块，其被配置为存储第一数据；第二单元块，其被配置为存储第二数据；第三单元块，其被配置为存储第三数据；修复信息存储电路，其被配置为基于被存储在其中的修复信息输出与输入地址相对应的修复使用信号；以及纠错电路，...

本发明涉及不规则LDPC码的动态缩放因子更改。本公开提供一种解码方法和存储器系统，其对数据进行解码并且估计经解码的数据的加权校验和以确定解码是否成功。加权校验和是基于第一组和第二组来计算的，第一组与不规则奇偶校验矩阵的高阶节点的权重相关...

本申请公开了图像传感器、图像处理系统及其操作方法。一种图像传感器，包括具有像素图案的像素阵列，其中在4×4单位像素组中，第一至第四2×2像素组在顺时针方向上布置，在彼此不相邻的两个2×2像素组中的每一个中布置一个红外像素，在第一对角线方...

一种半导体器件包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一半导体衬底、一个或更多个第一导电图案、多个第一导电插塞、以及第一接合焊盘；第二半导体结构，所述第二半导体结构包括第二半导体衬底、多个第二导电图案、一个或更多个第二导电插塞、以...

一种半导体存储器装置包括：联接到字线的沟道层；沿着沟道层的第一侧部分定位的单元串；以及沿着同一沟道层的第二侧部分定位的辅助串。

本文提供了半导体存储器装置及其制造方法。半导体存储器装置包括：下基板；位于下基板上的外围电路组件；包括下电容器结构的下接合层，下电容器结构位于外围电路组件上；包括上电容器结构的上接合层，上接合层接合到下接合层；位于上接合层上的多个单元和...