【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种包括偶极结构的半导体器件。
技术介绍
1、半导体器件作为电子工业中的重要元件，由于其诸如紧凑性、多功能性和/或低制造成本的特性而引起关注。半导体器件可以包括存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据运算的半导体逻辑器件，以及同时具有存储器和逻辑元件的混合半导体器件。
2、近来，电子产品的高速度和低消耗要求嵌入在电子产品中的半导体器件应该具有高工作速度和/或较低工作电压。然而，半导体器件集成度的提高可能导致半导体器件的电性能和产量的降低。因此，已经进行了许多研究来提高半导体器件的电性能和产量。
技术实现思路
1、本专利技术构思的一些实施例提供了具有提高的可靠性和改善的电特性的半导体器件。
2、根据本专利技术构思的一些实施例，半导体器件可以包括：第一沟道区域；第一电介质结构，所述第一电介质结构位于所述第一沟道区域上；第一金属图案，所述第一金属图案与所述第一电介质结构间隔开；以及第一偶极结构，所述第一偶极结构位于所述...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一偶极元素的所述最大氧化数大于所述第二偶极元素的所述最大氧化数。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二偶极元素的所述最大氧化数大于所述第一偶极元素的所述最大氧化数。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述第一电介质结构与所述第一偶极结构之间的第二金属图案。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二金属图案的厚度小于所述第一金属图案的厚
7...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一偶极元素的所述最大氧化数大于所述第二偶极元素的所述最大氧化数。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二偶极元素的所述最大氧化数大于所述第一偶极元素的所述最大氧化数。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述第一电介质结构与所述第一偶极结构之间的第二金属图案。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二金属图案的厚度小于所述第一金属图案的厚度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二金属图案的功函数小于所述第三金属图案的功函数。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，
11...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。