【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种三维半导体存储器件及包括该三维半导体存储器件的电子系统。
技术介绍
1、为了满足消费者对大数据存储容量、卓越性能和低价格的需求，需要具有更高集成度的半导体器件。因此，需要被配置为存储大量数据的半导体器件作为电子系统的数据存储。对于二维或平面半导体器件，由于其集成度主要由单位存储单元所占的面积决定，因此集成度受精细图案形成技术水平的影响很大。然而，提高图案精细度所需的极其昂贵的工艺设备对提高二维或平面半导体器件的集成度设置了实际限制。因此，最近提出了包括三维布置的存储单元的三维半导体存储器件。
技术实现思路
1、本专利技术构思的至少一个实施例提供了一种具有改进的电特性的三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统。
2、本专利技术构思的至少一个实施例提供了一种具有增加的集成密度的三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统。
3、根据本专利技术构思的至少一个实施例，一种三维半导体存储器件可以包括：晶体管阵列，在衬底上，该晶体管阵列...
【技术保护点】
1.一种三维半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，在所述第一水平方向上，所述一对第二晶体管中的每一个的宽度大于所述一对第一晶体管中的每一个的宽度。
3.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述一对第一晶体管和所述一对第二晶体管中的每一个包括有源图案，并且
4.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述一对第一晶体管和所述一对第二晶体管中的每一个包括有源图案，
5.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，
【技术特征摘要】
1.一种三维半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，在所述第一水平方向上，所述一对第二晶体管中的每一个的宽度大于所述一对第一晶体管中的每一个的宽度。
3.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述一对第一晶体管和所述一对第二晶体管中的每一个包括有源图案，并且
4.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述一对第一晶体管和所述一对第二晶体管中的每一个包括有源图案，
5.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，还包括：
7.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述杂质区在所述衬底的上部中，并且
8.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述第一保护接触插塞的底表面处于与所述衬底的顶表面基本相同或低于所述衬底的所述顶表面的竖直水平。
9.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述一对第一晶体管和所述一对第二晶体管中的每一个包括有源图案和所述有源图案中的源/漏区，
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