【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件。
技术介绍
1、半导体器件是用于控制或放大电子设备中的电信号的核心部件，并且可以制造各种类型的半导体器件。例如，存储器件可以主要用于存储和检索数据，而非存储器件可以用于控制或放大电信号。半导体器件是电子设备的核心部件，并且在包括计算机、通信设备、消费电子产品等的各种领域中发挥重要作用。
2、随着工业的发展，电子设备的性能和功能要求也在提高。因此，必不可少地需要半导体器件的高性能特性，并且半导体器件的集成度正在增加以满足这些要求。正在研究用于形成具有优异性能和改善的集成度的半导体器件的各种方法。
技术实现思路
1、为了解决一个或更多个问题(例如，上述问题和/或本文未明确描述的其它问题)，本公开可以提供具有改善的电特性和可靠性的半导体器件。
2、根据本公开的一些示例实施方式，一种半导体器件可以包括：衬底；在衬底上的有源图案，有源图案包括彼此间隔开并且垂直堆叠在彼此上的多个沟道图案；在所述多个沟道图案的至少一侧上的源极/漏极图案；围绕所述多个沟道...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述内栅极间隔物由所述绝缘膜结构和所述下部栅电极围绕。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜结构的一部分沿着所述源极/漏极图案延伸并接触所述源极/漏极图案。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述内栅极间隔物的所述第二侧表面具有朝向所述源极/漏极图案的凸形形状。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述内栅极间隔物的至少三个...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述内栅极间隔物由所述绝缘膜结构和所述下部栅电极围绕。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜结构的一部分沿着所述源极/漏极图案延伸并接触所述源极/漏极图案。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述内栅极间隔物的所述第二侧表面具有朝向所述源极/漏极图案的凸形形状。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述内栅极间隔物的至少三个表面与所述高介电常数绝缘膜接触。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述内栅极间隔物包括硅氧化物、硅氮氧化物、硅硼氮化物、硅氧碳氮化物和硅氮化物中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅电极还包括在所述多个沟道图案上的上部栅电极，以及
10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：金范哲，权旭炫，安贤珉，郑秀真，洪炳鹤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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