【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第18/630,200号专利申请案的优先权(即优先权日为“2024年4月9日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种电子电路。特别是有关于一种用于自动产生堆叠结构中的半导体晶粒的晶片标识符的方法、半导体元件以及使用该方法的存储器元件。
技术介绍
1、随着技术的发展，现在存储器元件可以通过使用三维存储器堆叠来具有更大的储存容量。此外，该堆叠内的每个存储器晶片都有一个唯一的标识符也很重要。然而，在制造存储器堆叠时，如果在堆叠之前设定晶片标识符，则可能会发生冲突，借此导致具有相同标识符的不同存储器晶片出现问题。因此，需要一种用于自动产生堆叠结构中的半导体晶粒的晶片标识符的方法、半导体元件以及使用该方法的存储器元件来解决前述问题。
2、上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种半导体元件，包...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该堆叠结构是三维堆叠结构。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中响应于该第二半导体晶粒是该堆叠结构内的该下半导体晶粒，该第二半导体晶粒的该第二标识符产生电路经配置以使用一预设值而自动产生该第二半导体晶粒的一第二晶片标识符。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一半导体晶粒的该第一标识符产生电路的该输入信号是由该第二标识符产生电路所产生的该第二晶片标识符。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一标识符产生电路所产生的该第一晶片标识符是该第二晶片...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该堆叠结构是三维堆叠结构。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中响应于该第二半导体晶粒是该堆叠结构内的该下半导体晶粒，该第二半导体晶粒的该第二标识符产生电路经配置以使用一预设值而自动产生该第二半导体晶粒的一第二晶片标识符。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一半导体晶粒的该第一标识符产生电路的该输入信号是由该第二标识符产生电路所产生的该第二晶片标识符。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一标识符产生电路所产生的该第一晶片标识符是该第二晶片标识符的一位元移位值。
6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一晶片标识符和该第二晶片标识符是不同的独热码。
7.如权利要求5所述的半导体元件，其中该第一标识符产生电路包括多个第一缓冲电路、多个第一输入端以及多个第一输出端，并且该多个第一缓冲电路对应于该多个第一输入端和该多个第一输出端，其中每个第一缓冲电路从对应的第一输入端接收该第二晶片标识符的一对应位元。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一缓冲电路所产生的一第一输出信号等于该第二晶片标识符，并且该第一标识符产生电路还经配置以将该第一输出信号左移1位元而在该多个第一输出端处产生该第一晶片标识符。
9.如权利要求7所述的半导体元件，其中由该多个第一缓冲电路所产生的一第一输出信号等于该第二晶片标识符，并且该第一标识符产生电路还经配置以将该第一输出信号右移1位元而在该多个第一输出端处产生该第一晶片标识符。
10.如权利要求8所述的半导体元件，其中每个第一缓冲电路包括具有偶数个反相器的一反相器链、一共漏极放大器或一共集极放大器。
11.如权利要求7所述的半导体元件，其中由该多个第一缓冲电路所产生的一第一输出信号与该第二晶片标识符为位元互补，并且...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨吴德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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