【技术实现步骤摘要】
本揭露涉及一种半导体结构的制造方法。更具体地，本揭露涉及一种通过使用光阻平台层及位于光阻平台层上的光阻剂层来制造半导体结构的方法。
技术介绍
1、随着电子设备变得更轻更薄，例如动态随机存取存储器(dynamic random accessmemory，dram)的半导体设备变得更加高度整合。此外，通过缩短dram中半导体结构之间的间距(pitch)来提高dram的性能。由于半导体结构尺寸的缩小，除了增加工艺的难度外，半导体结构中的元件也容易因间距太近而产生漏电现象(leakage)。
2、因此，在半导体制造过程中，如何减少漏电以提高半导体结构的工艺良率成为重要的课题。
技术实现思路
1、本揭露的一些实施例提供一种制造半导体结构的方法包括以下步骤。提供基板及位于基板上的主动装置层。在主动装置层上形成堆叠膜层。在主动装置层上形成堆叠膜层。在光阻平台层上共形地形成阻挡层。在光阻平台层上共形地形成阻挡层。蚀刻光阻平台层直至暴露出阻挡层的多个顶表面，以形成多个第一开口。基于第一开口，蚀刻...
【技术保护点】
1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述多个第一开口包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通孔图案对应于所述多个第一开口的区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通孔图案通过边界规则来定义。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在俯视图中，所述边界规则定义是指从各所述第一开口的边缘到所述光阻平台层的最接近的边缘的最短距离介于0.1微米至5微米之间。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在蚀刻所述阻挡层、所述光...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述多个第一开口包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通孔图案对应于所述多个第一开口的区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通孔图案通过边界规则来定义。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在俯视图中，所述边界规则定义是指从各所述第一开口的边缘到所述光阻平台层的最接近的边缘的最短距离介于0.1微米至5微米之间。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在蚀刻所述阻挡层、所述光阻平台层及所述堆叠膜层以形成所述多个第二开口之后，在所述多个第二开口中填充导电材料以在所述堆叠膜层中形成多个互连结构。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光阻平台层为krf光阻平台层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光阻剂层为arf光阻剂层。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，由于所述光阻剂层的蚀刻选择性大于所述阻挡层的蚀刻选择性，因此蚀刻所述多个第一开口直到暴露所述阻挡层的所述多个顶表面。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，由于所述阻挡层的蚀刻选择性大于所述光阻平台层的蚀刻选择性，且所述光阻平台层的蚀刻选择性大于所述堆叠膜层的蚀刻选择性，因此在蚀刻穿透阻挡层后形成所述多个第二开口。
11.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭荣赐，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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