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本揭露的实施例提供制造半导体结构的方法包括以下步骤。提供基板，其中基板上具有主动装置层。在主动装置层上形成堆叠膜层。在堆叠膜层上形成光阻平台层。在光阻平台层上共形地沉积阻挡层。在阻挡层上形成光阻剂层。蚀刻光阻剂层直至暴露出阻挡层的多个暴露顶...
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