一种抛光头膜片包含圆形底壁以及多个环状隔间壁。多个环状隔间壁自底壁向上延伸，用以将底壁划分为至少四个同心区域。至少四个同心区域包含第一区域及第二区域，第一区域与第二区域分别为最靠近及次靠近底壁的中心的区域，且多个补强结构嵌设于底壁的第一...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一基底，包括一正面和与该正面平行的一背面；一接合介电质，设置在该第一基底的该正面上；一重分布层，设置在该接合介电质和该第一基底的该正面之间；一第一介电层，设置在该第一基底的该正面...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板、一位元线、一导电层、一着陆垫、以及一气隙保护结构。该基板包括多个衬垫，设置于该基板中一沟槽的侧表面上。该位元线设置于该基板上。该隔离间隔物设置于该位元线的一侧壁上。该隔离间隔...

本公开提供一种半导体装置。该半导体装置包括一基板、一电子元件和一封装材料。该基板具有一下表面和与该下表面相对的一上表面。该电子元件配置在该基板的该上表面上。该封装材料配置在该基板的该上表面上。该封装材料包括在该基板的一中央区域穿透该基板...

一种半导体封装结构包含基板、半导体晶粒及封装体。基板包含本体层、破口部、跨接部、电源焊球、接地焊球、电源走线部及接地走线部。破口部贯穿本体层，跨接部自本体层延伸横跨破口部，电源焊球及接地焊球安装至本体层上，电源走线部内嵌于本体层及跨接部...

本公开提供一种具有一突出接触件的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；在该基底上的一位元线结构；在该位元线结构旁的一电容器接触结构；以及覆盖该电容器接触结构的一上表面的一部分和该电容器接触结构的一侧壁的一上部的一着陆垫层。

本发明提供一种形成半导体结构的方法。方法包括以下操作。形成类金刚石碳硬遮罩层在基板上，其中类金刚石碳硬遮罩层的吸光度小于或等于0.5。形成介电抗反射涂层在类金刚石碳硬遮罩层上。形成底部抗反射涂层在介电抗反射涂层上。硬遮罩具有较小的吸光度...

本揭示提供一种动态随机存取内存(dynamic random‑access memory，DRAM)装置。DRAM装置包括从属DRAM芯片以及主DRAM芯片。从属DRAM芯片包括从属控制电路以及从属电源电路。从属控制电路依据从属类别信号...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一电子元件、一封装件及一堤坝结构。该基底具有一下表面和相对于该第下表面的一上表面。该电子元件设置在该基底的该上表面上。该封装件设置在该基底的该上表面上，且具有贯穿该基底的一部...

本公开提供一种延迟锁定回路装置，其包括一接收器、一延迟线、一频率检测和控制电路、一相位检测器、以及一延迟控制电路。该接收器比较一输入时钟信号和一参考电压以产生一第一信号，并基于该输入时钟信号产生一参考时钟信号。该延迟线基于一延迟控制信号...

半导体结构的制造方法包括：在基板上形成介电层，其中介电层包括离散通孔区域与密集通孔区域，且离散通孔区域及密集通孔区域各自包括多个通孔；在通孔的各者的底部区域形成增塑剂；在介电层上及通孔内形成光阻层，其中光阻层接触增塑剂；以及加热光阻层及...

本申请公开一种电容结构及其制造方法。此电容结构包括：一第一电极，包括碳纳米管；一第二电极，包括石墨烯及氧化钒；一隔离膜，分隔该第一电极与该第二电极；以及一第一型电解质，围绕该第一电极、该第二电极及该隔离膜。

本申请提供一种在基材上形成图案化光阻层的制备方法以及在基层中形成多个开口的制备方法。该制备方法包括提供一基材；在该基材上形成一光阻层，其中该光阻层包括一种负膨胀系数材料；对该光阻层进行图案化以形成一第一实际图案，且该第一实际图案具有一第...

本发明提供一种半导体结构。此半导体结构包括基板、位元线结构、晶种层、第一间隔物、第二间隔物、第三间隔物和气隙。基板具有凹槽，其中凹槽具有尖角。位元线结构位于基板上，其中凹槽围绕位元线结构。晶种层位于位元线结构的侧壁上。第一间隔物位于晶种...

本发明提供一种电极与超电容器。电极包括导电基板、纳米碳管阵列与多个钌基纳米粒子。纳米碳管阵列设置于导电基板上，其中纳米碳管阵列包括多个纳米碳管，纳米碳管掺杂多个N型掺杂剂。钌基纳米粒子附着于纳米碳管的多个表面。一种超电容器包括上述电极的...

本公开提供一种光阻结构、包括该光阻结构的半导体元件、以及包括该光阻结构的该半导体元件的制备方法。该光阻结构包括一下光阻层；以及位在该下光阻层上的一上光阻层。该上光阻层的一热膨胀系数大于该下光阻层的一热膨胀系数。

本公开提供一种电子元件及其制备方法。该电子元件包括一第一半导体晶片、一第二半导体晶片、一第三半导体晶片、一第四半导体晶片和一第五半导体晶片。该第二半导体晶片堆叠在该第一半导体晶片上，并通过混合接合而与该第一半导体晶片电性连接。该第四半导...

一种半导体装置的制造方法，包括提供初始结构，其包括位元线结构、座落垫层，与位元线结构相邻、及隔离层，与座落垫层相邻、在初始结构上沉积第一介电层、修改第一介电层的蚀刻特性、对第一介电层进行蚀刻工艺，以形成第一开口、及在第一开口形成电容结构...

本发明提供形成图案化结构的方法，包括以下操作。图案化在目标层上的光阻剂层以形成第一开口在图案化光阻剂层中。形成定向自组装层在图案化光阻剂层上及在第一开口中，其中定向自组装层中的定向自组装材料通过被图案化光阻剂层的极性度吸引而分离成在图案...

一种标签分配装置用以将标签料带上所依序承载的多个标签贴逐一撕离，标签分配装置包括具有标签出口的机壳、收集卷筒、送料卷筒、驱动机构和剥离机构。收集卷筒和送料卷筒可枢转地设于机壳内，并将标签料带同时安装其上。驱动机构驱动送料卷筒或收集卷筒，...