本公开提供一种半导体元件。此半导体元件包括：一基板；一下部支撑框架；一上部支撑框架；以及一电容构件。该下部支撑框架设置在该基板之上。该上部支撑框架设置在该下部支撑框架之上并与该下部支撑框架分隔。该电容构件设置在该基板之上。该电容构件包括...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板，具有一主动区域；一凹槽栅极结构，设置于该基板中并与该主动区域相交；一导电柱，设置于该基板之上并电性连接至该主动区域；一着陆垫，设置于该导电柱上并电性连接至该导电柱；以及一介电...

本公开提供一种具有多孔层的半导体元件及其制造方法。此半导体元件包括：一基板；一底部互连层，设置于该基板中；一底部介电层，设置于该基板上；一互连结构，沿着该底部介电层而设置，设置于该底部互连层上，并且设置于该底部介电层上；多个衬层，横向地...

本发明提供了一种仓库门禁控制系统的操作方法。所述方法包含：巡回被多个监视器撷取的多个影像；判断未验证人的生物特征并产生判断结果；基于判断结果切换仓库的状态；判断仓库的状态；侦测被监视器撷取的影像；侦测是否有任何人类于被监视器撷取的影像中...

一种导电结构，其包括基板、至少一堆叠层、导电特征、导电通道及保护层。导电特征设置于基板中。至少一堆叠层设置于基板上。导电通道延伸通过至少一堆叠层并电性连接导电特征。保护层环绕导电通道的上外缘部。保护层的设置能避免导电通道产生弓形轮廓，进...

一种存储器装置的制造方法包括在基板中形成沟槽，形成沿着沟槽的表面的栅极介电层；在沟槽中与栅极介电层上方形成字元线；蚀刻栅极介电层，使得栅极介电层的顶部末端低于基板的顶表面；在栅极介电层的顶部末端上方形成着陆垫；形成介电层，从而覆盖字元线...

本发明提供了一种方法。方法包括在基板上旋涂光阻层，对光阻层执行第一图案化工艺以形成光阻图案，其中光阻图案具有第一轮廓。方法包括对光阻图案执行第二图案化工艺，包括旋转基板，将光阻图案暴露于红外光，以及对光阻图案执行显影工艺，其中，在显影工...

旋涂装置包括第一卡盘、环形热电单元、马达和主控制器。环形热电单元与第一卡盘间隔开并环绕第一卡盘设置，其中环形热电单元包括n型半导体和与n型半导体电连接的p型半导体。马达与环形热电单元和第一卡盘连接。主控制器电连接环形热电单元和马达。本发...

本发明提供了一种半导体元件的制造方法。所述方法包含：提供半导体结构，其中半导体结构包含包覆氮化物层以及氧化物层的数个氮化物部位、位于氮化物部位之间的接触层、设置于氮化物部位上的间隔物层以及位于间隔物层上的图案化硬遮罩层；形成填充材料于接...

本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一基板、一残膜、多个字元线、和多个接触。多个柱体形成于该基板的一阵列区域中。多个柱体中的每一个的一顶表面为一实质上平坦的表面。残膜部分地设置于靠近多个柱体的顶表面的多个柱体的侧壁上。氧化物层围绕...

本申请案涉及具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括：一基板；多个凹槽，从该基板的一顶表面凹陷且定义一通道区，其中该通道区位于该多个凹槽之间且相邻于该基板的该顶表面；一栅极结构，位于该通道区上；多个杂质区，包括多个...

本发明提供一种半导体结构及其制造方法。此方法包括形成第一沟槽在基板中及形成第一栅极结构在第一沟槽中。形成第一栅极结构在第一沟槽中包括以下操作。沉积第一介电层以覆盖第一沟槽的内表面。第一栅极在第一沟槽中与第一介电层上形成。沉积第二介电层以...

本公开涉及一种具有存储器结构的半导体结构及其制造方法。此半导体结构包括：一数据存储单位，设置在一第一介电层中；一字元线，设置在该第一介电层之上的一第二介电层中；多个导电垫的一阵列，设置在该第二介电层之上；一位元线，设置在该多个导电垫之上...

本发明的实施例提供了一种用于晶圆边缘的曝光系统以及包含在该曝光系统中的光罩。此光罩包括框架、由该框架包围的开口、位于该框架下方的相位反转层以及位于该相位反转层下方的强度衰减层。相位反转层的内侧壁和强度衰减层的内侧壁暴露于此开口。相位反转...

一种存储器的制造方法，包括以下步骤：在基板上方形成介电层堆叠；形成穿过介电层堆叠的开口；形成衬在开口上的底电极层；形成密封开口的保护层，其中形成保护层的步骤包括以下步骤：使用氮等离子体执行第一沉积工艺以形成第一介电层，及使用氧等离子体执...

提供一种半导体元件结构及其制造方法。此半导体元件结构包括：一中介层以及一第一电子构件。该中介层包括：一第一半导体晶粒以及一第二半导体晶粒。该第一半导体晶粒包括一第一快取存储器及一第一存储器控制电路。该第二半导体晶粒包括一第二快取存储器及...

本公开提供一种半导体元件的制备系统及相关方法。该系统包括一处理器、用以支撑一第一晶圆的一平台、和一研磨元件。该平台被配置以感测该第一晶圆的一第一表面的特性数据，其中该平台电性耦合至该处理器且被配置以将感测到的该第一晶圆的该第一表面的特性...

本申请公开一种具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括：一基板；多个凹槽，从该基板的一顶表面凹陷且定义一通道区，其中该通道区位于该多个凹槽之间且相邻于该基板的该顶表面；一栅极结构，位于该通道区上；多个杂质区，包括多...

本公开提供一种位元线接触结构、半导体元件及其制备方法。该位元线接触结构包括：一位元线接触，其在俯视透视图中具有一矩形剖面轮廓且包括彼此平行的两个第一侧边和彼此平行且与该两个第一侧边垂直的两个第二侧边；以及两个接触隔离间隔物，分别对应地覆...

一种半导体结构，包括基板、介电层、微电子装置、互连层和金属线。金属线包括第一粘合层、导电层、第二粘合层、下阻挡层和上阻挡层。第一粘合层包含第一材料。导电层包含第二材料。第二粘合层包含第一材料。下阻挡层位于第一粘合层和导电层之间，其中下阻...