本公开涉及包括具有较低和较高栅极电极层的字元线结构的存储器元件及其制备方法。该存储器元件包括设置于一半导体基板中的一字元线结构。该字元线结构包括一较低栅极电极层、一较高栅极电极层、设置于该较高栅极电极层的相对侧上的一对间隔物、和包围该较...

本公开涉及包括具有较低和较高栅极电极层的字元线结构的存储器元件及其制备方法。该存储器元件包括设置于一半导体基板中的一字元线结构。该字元线结构包括一较低栅极电极层、一较高栅极电极层、设置于该较高栅极电极层的相对侧上的一对间隔物、和包围该较...

一种半导体装置，包括：基板层；位于基板层上方的第一晶体管和第二晶体管；位于基板层上方的第一存储器单元；位于基板层上方并电性连接到第一存储器单元的第一字元线，其中第一字元线位于第一高度，并且第一晶体管电性连接到第一字元线；位于基板层上方的...

一种半导体结构，包括基板、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一源极垫及第二源极垫。第一晶体管及第二晶体管沿着第一方向的第一路径设置于基板上。第一源极垫沿着第一方向的第一路径设置于第一晶体管及第二晶体管之间，且电性连接至第...

本发明提供一种具承载信号的导体及其接点的制造方法、及半导体结构，该半导体结构的多个第一信号承载导体埋入沿着第一维度的第一浅沟槽隔离结构且位于半导体基板的主动区下方，多个接点从所述多个第一信号承载导体延伸并贯穿所述第一浅沟槽隔离结构以连接...

一种半导体封装包含基板、晶片、电容器、第一模压材及第二模压材。基板具有第一表面、第二表面及开口，其中第一表面与第二表面相对。晶片位于基板的第一表面上并位于基板的开口中。电容器在垂直方向上与晶片重叠并电性连接到晶片。第一模压材覆盖晶片及基...

提供一种半导体元件及其制造方法。此半导体元件，包括一基板、一位元线、一第一字元线、一第二字元线及一通道层。该位元线设置于该基板上并且沿着一第一方向延伸。该第一字元线设置于该基板上并且沿着大致上垂直于该第一方向的一第二方向延伸。该第二字元...

提供一种半导体元件及其制造方法。此半导体元件，包括一基板、一位元线、一第一字元线、一第二字元线及一通道层。该位元线设置于该基板上并且沿着一第一方向延伸。该第一字元线设置于该基板上并且沿着大致上垂直于该第一方向的一第二方向延伸。该第二字元...

一种形成半导体元件的方法，包括形成介电层，位于基板上方；形成导电层，位于介电层上方；形成光阻层，位于导电层上方，其中光阻层包含磁性材料；对光阻层执行曝光工艺以在光阻层中形成曝光区域与未曝光区域；对光阻层施加定向磁场；对光阻层执行曝光后烘...

本申请公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一导电结构，包括：一导电凹层，设置在该基板上；以及一导电填充层，设置于该导电凹层上，其中该导电凹层包括一顶表面，该顶表面具有一V形剖面轮廓；以及一顶部导电层，...

提供一种半导体元件及其制造方法。此半导体元件包括：一第一主动区、一第二主动区、一第一测试模块以及一第二测试模块。该第二主动区借由一切割线而与该第一主动区分隔。该切割线沿着一第一方向延伸。该第一测试模块邻接该第一主动区且设置于该切割线之内...

提供一种半导体元件及其制造方法。此半导体元件包括：一第一主动区、一第二主动区、一第一测试模块以及一第二测试模块。该第二主动区借由一切割线而与该第一主动区分隔。该切割线沿着一第一方向延伸。该第一测试模块邻接该第一主动区且设置于该切割线之内...

本申请公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一导电结构，包括：一导电凹层，设置在该基板上；以及一导电填充层，设置于该导电凹层上，其中该导电凹层包括一顶表面，该顶表面具有一V形剖面轮廓；以及一顶部导电层，...

本揭示提供一种电压调节器。所述电压调节器包括输出晶体管、主运算放大器、辅助电路及电流镜电路。输出晶体管的第一端接收输入电压。输出晶体管的第二端输出输出电压。主运算放大器的第一输入端接收参考电压。主运算放大器的第二输入端接收反馈电压。主运...

一种存储器元件的制造方法包括：形成沟槽在介电结构中；形成导电层在介电结构的沟槽中；形成第一氮化物间隔件衬于沟槽；蚀刻第一氮化物间隔件以暴露导电层；形成第二氮化物间隔件衬于第一氮化物间隔件与导电层；以及形成金属层于沟槽中且位于导电层上方。...

提供一种半导体元件，包括基板、导电触点、金属板、阵列结构以及多个电路结构。基板包含阵列部分以及邻近于阵列部分的多个电路部分，其中阵列部分位于阵列区中，以及此些电路部分位于多个电路区中。导电触点设置于基板上方。金属板设置于导电触点上方。阵...

本发明提供了一种制造半导体结构的方法。此方法包括以下步骤。提供基板。在基板上形成导电层。在导电层上形成介电层。在介电层上形成硬遮罩层，其中硬遮罩层包含碳。进行植入工艺，将氮植入硬遮罩层以形成植入硬遮罩层。通过移除植入硬遮罩层、介电层和导...

提供一种半导体元件及半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板，具有一第一凹陷区；以及一第一位元线结构，位于该第一凹陷区中。该第一位元线结构具有一第一间隔物、一第二间隔物以及一第三间隔物。该第一间隔物、该第二间隔物及该第三间隔物具有...

本发明提供一种半导体结构与其形成方法。半导体结构包括在基板上横向间隔开来的多个位元线结构、在位元线结构之间的着陆垫、覆盖在着陆垫的顶表面上的金属氮氧化物层以及在着陆垫上方垂直延伸的电容结构。形成半导体结构的方法包括以下操作。接收多个位元...

本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板和设置于该基板之上的一位元线结构。该位元线结构包括定义一空气边衬的一绝缘间隔物结构。该半导体元件也包括一密封层，设置于该绝缘间隔物结构之上以覆盖该空气边衬。该密封层包括一含碳材料。