本公开提供一种存储器单元，包括一基底、一字元线、一第一源极/漏极区、一第二源极/漏极区、一第一导电通孔以及一第二导电通孔。该字元线设置在该基底内。该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区设置在该基底内且位在该字元线的相对两侧上。该第一导电...

本申请案公开一种半导体元件及半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一接触垫，位于该基板之上；一顶部介电层，包括：一平坦部分，位于该接触垫的一顶部表面上；以及一空腔部分，连接至该平坦部分，在一俯视透视图中围绕该接触垫，在一剖面透...

一种系统包括存储器模组以及序列存在检测写入器。存储器模组包括具有第一容量的第一存储器装置，以及序列存在检测装置用以存储存储器模组的数据。序列存在检测写入器根据存储器模组的容量用以更换数据。序列存在检测写入器包含测试板，用以测量由控制器所...

一种半导体装置包括基板、栅极介电层、偶极层、栅极、源极区及漏极区。栅极介电层位于基板上方。偶极层位于栅极介电层上方，其中偶极层为含氧层，且偶极层的宽度小于栅极介电层的宽度。栅极位于偶极层及栅极介电层上方。源极区位于基板中。漏极区位于基板...

本揭露提供一种半导体装置的制造方法。方法包括以下步骤。提供半导体结构，其中包括基板与位于基板中的沟槽。沉积导电材料以填满沟槽。执行第一蚀刻工艺以回蚀导电材料的一部分使得导电材料的顶表面为V形表面。沉积牺牲膜在导电材料的顶表面上，其中牺牲...

本申请公开具有复合介电层的半导体元件及其制造方法，嘉彤涉及一种半导体元件及半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一第一互连结构，设置在一半导体基板中；一第一介电层及一第二介电层，设置在该半导体基板之上；一第二互连结构，设置在该第一介电...

本申请案公开一种半导体元件及半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一接触垫，位于该基板之上；一顶部介电层，包括：一平坦部分，位于该接触垫的一顶部表面上；以及一空腔部分，连接至该平坦部分，在一俯视透视图中围绕该接触垫，在一剖面透...

本申请公开具有复合介电层的半导体元件及其制造方法，具体涉及一种半导体元件及半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一第一互连结构，设置在一半导体基板中；一第一介电层及一第二介电层，设置在该半导体基板之上；一第二互连结构，设置在该第一介电...

一种半导体装置，包含有基板、主动区以及栅极结构。主动区设置在基板中，而栅极结构设置在主动区中。栅极结构包含有底部衬里层、在底部衬里层内侧的底部低功函数材料层，以及在底部低功函数材料层内侧的底部导电材料层，以提升半导体装置的品质。此外，一...

本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；至少二位元线结构，位在该基底上；一接触层，位在该基底上且位在该至少二位元线结构之间；以及一导电颈层，位在该接触层上且位在该至少二位元线结构之间。该导电颈层的一上...

本发明提供半导体结构的制造方法。将基板从其上表面朝其下表面凹陷以形成沟槽。填充半导体材料于沟槽中。形成图案化金属层于半导体材料上并形成图案化硬遮罩层于图案化金属层上。利用图案化金属层和图案化硬遮罩层作为第一蚀刻遮罩，蚀刻半导体材料的一部...

一种测试系统包括评估子系统、光学检查子系统及工艺控制处理器。评估子系统配置以从晶圆测试装置接收测试数据，其中测试数据包括晶圆的测试图像。评估子系统配置以接收晶圆的分析良率数据及基于测试图像接收识别数据。工艺控制处理器配置以响应于晶圆测试...

半导体装置的形成方法包含形成延伸于第一方向的多个第一图案在基板上的第一硬遮罩层中，每个第一图案包含第一中央区段以及两第一末端区段；形成延伸于不同于第一方向的第二方向的多个第二图案在基板上的第二硬遮罩层中，每个第二图案包含第二中央区段以及...

本公开的实施例提供存储器装置和其制造方法。方法包括在主动区和浅沟槽隔离区域上形成第一字元线氮化物层、在第一字元线氮化物层上形成字元线遮罩层、形成延伸穿过字元线遮罩层的字元线沟槽、在字元线沟槽中形成字元线金属层和第二字元线氮化物层、移除字...

本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；至少二位元线结构，位在该基底上；一接触层，位在该基底上且位在该至少二位元线结构之间；以及一导电颈层，位在该接触层上且位在该至少二位元线结构之间。该导电颈层的一上...

本公开提供一种封装结构、组装结构及其制备方法。该封装结构包括至少半导体元件、至少一非主动元件以及一封装胶体。至少一非主动元件设置在该至少一半导体元件周围，包括一主要部分以及延伸穿过该主要部分的至少一通孔。该封装胶体封装该至少一半导体元件...

本公开提供一种封装结构。该封装结构包括至少一半导体元件、至少一非主动元件和一封装胶。该至少一非主动元件设置于该至少一半导体元件周围，并包括一主要部分和延伸穿过该主要部分的至少一穿孔。该封装胶封装该至少一半导体元件和该至少一非主动元件。该...

本公开提供一种动态随机存取存储器（DRAM）装置。动态随机存取存储器装置包括多个从属动态随机存取存储器芯片以及主动态随机存取存储器芯片。多个从属动态随机存取存储器芯片中的每一个包括从属熔丝电路以及从属参考电压产生器。从属熔丝电路根据从属...

一种半导体装置的制造方法，包括：在基板层形成开口；形成衬于基板层的开口的半导体层；形成衬于半导体层的第一介电层，其中第一介电层以第一温度和第一氢气浓度形成；以及在第一介电层上形成第二介电层并填充开口，其中第二介电层以不同于第一温度的第二...

本公开提供一种封装结构。该封装结构包括至少一半导体元件、至少一非主动元件和一封装胶。该至少一非主动元件设置于该至少一半导体元件周围，并包括一主要部分和延伸穿过该主要部分的至少一穿孔。该封装胶封装该至少一半导体元件和该至少一非主动元件。该...