本申请案公开一种存储器元件及存储器元件的制造方法。此存储器元件包括：一基板；一接触区，位于该基板上；一底部电极，位于该接触区上，其中该底部电极具有一容器状轮廓；一支撑层，位于该基板之上且横向地围绕该底部电极；一介电结构，包括：一介电层，...

本揭露提供一种电极结构。电极结构包含基板、导电层、纳米级导电结构以及数个导电粒子。导电层设置于基板上。纳米级导电结构设置于导电层上。纳米级导电结构掺杂有氮掺杂剂。导电粒子分布于纳米级导电结构上。本揭露的电极结构及其制造方法实现了电池快速...

半导体存储器装置制造方法包括以下步骤。位元线结构形成在基板的存储器阵列区域中。在基板的周边区域中形成栅极结构。在位元线结构和栅极结构上方形成介电层。在介电层上方形成下硬罩幕层。在下硬罩幕层上方形成蚀刻工艺诊断信号层。在蚀刻工艺诊断信号层...

本揭示图案化半导体结构的方法包括以下操作。接收包括多个第一间隙物在第一基板上的第一复合基板及包括多个第二间隙物在第二基板上的第二复合基板。设置第二复合基板在第一复合基板上，其中第一间隙物的至少一者与第二间隙物的至少一者接触。填充定向自组...

本申请案公开一种存储器元件及存储器元件的制造方法。此存储器元件包括：一基板；一接触区，位于该基板上；一底部电极，位于该接触区上，其中该底部电极具有一容器状轮廓；一支撑层，位于该基板之上且横向地围绕该底部电极；一介电结构，包括：一介电层，...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底，具有一主动区；一凹陷栅极结构，设置在该基底中并与该主动区相交；一导电柱，设置在该基底上方并电性连接到该主动区；一着陆垫，设置在该导电柱上并电性连接到该导电柱；以及一介电层堆叠，设置在该基...

本发明的实施例提供一种半导体结构，包括基板、位于基板上的下电极层、位于下电极层上的第一介电层、位于第一介电层上的第二介电层及位于第一介电层和第二介电层中的多个电容器。电容器结构包括位于电容器结构的上部中的密封层、设置于下电极层上方且环绕...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底，具有一主动区；一凹陷栅极结构，设置在该基底中并与该主动区相交；一导电柱，设置在该基底上方并电性连接到该主动区；一着陆垫，设置在该导电柱上并电性连接到该导电柱；以及一介电层堆叠，设置在该基...

一种半导体装置，包括：第一电容器；位于第一电容器上方的第一通道结构；沿第一通道结构的侧壁的第一栅极介电；沿第一栅极介电的侧壁的第一字元线；位于第一通道结构上方的位元线；位于位元线的第二通道结构；沿第二通道结构的侧壁的第二栅极介电；沿第二...

一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括基板、单元电容器、下部介电层、通道层、字元线结构、阻挡层、上部介电层、间隔物。单元电容器嵌入在基板中。下部介电层位于基板上。通道层位于单元电容器上，其中通道层与单元电容器直接接触，且通道层包括氧...

本发明实施例提供一种半导体的制造方法，包括以下步骤。提供基板，基板上具有主动层且基板上定义有阵列区及围绕阵列区的周边区。在主动层上形成第一膜层。在第一膜层上形成第二膜层。在第二膜层上形成包含电容器图案的抗反射三层堆叠，且抗反射三层堆叠包...

半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤。在基板的主动区中形成字线沟槽。在字线沟槽中形成氧化物衬垫，使得在形成氧化物衬垫之后字线沟槽在字线沟槽的第一个开口处具有第一宽度。在字线沟槽中形成字线金属。在基板的主动区上方形成氮化物层。图案化氮化...

本发明提供了一种半导体装置。此半导体装置包括第一半导体晶圆和第二半导体晶圆，其中第二半导体晶圆设置在第一半导体晶圆上。第一半导体晶圆包括第一基板、第一金属化层、第一介电质层、第一磁性结构和第一金属垫。第二半导体晶圆包括第二基板、第二金属...

本公开提供一种单元接触结构及其半导体元件。该单元接触结构包括：一底部接触层，位于一基板上并被多个位元线结构和多个分隔层包围；一衬层，位于该底部接触层与该基板之间、该底部接触层与多个位元线结构之间、和该底部接触层与多个分隔层之间；以及一顶...

本公开的一些实施例提供一种存储器装置和其制造方法。方法包括在第一基板区域上形成磊晶层且暴露第二基板区域、在磊晶层和第二基板区域上形成高介电常数介电层、在第一基板区域上方的高介电常数介电层上形成第一牺牲层且暴露第二基板区域上方的高介电常数...

本公开提供一种半导体结构，包括一基底、一第一掩埋栅极结构和一第二掩埋栅极结构。该基底具有一阵列区与一周围区。该第一掩埋栅极结构从该基底的一第一表面沿着一第一方向而延伸到该基底中并且设置在该阵列区中。该第二掩埋栅极结构从该基底的该第一表面...

一种存储器包含基板与位于基板上方的电容器结构。电容器结构包含：下电极；电容介电质，位于下电极上方，且具有第一介电质与位于第一介电质上方的第二介电质，其中第一介电质由氧化铪所组成，而第二介电质由氧化锆所组成；以及上电极，位于第二介电质上方...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该单元接触结构包括：一底部接触层，位于一基板上并被多个位元线结构和多个分隔层包围；一衬层，位于该底部接触层与该基板之间、该底部接触层与多个位元线结构之间、和该底部接触层与多个分隔层之间；以及一顶部接触...

一种形成存储器元件的方法包括形成堆叠于基材上方。堆叠包括第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层以及第三支撑层。方法还包括形成沟槽于堆叠中。方法还包括形成下电极于沟槽中。形成下电极于沟槽中包括：形成第一导电材料衬于沟槽；形成第二导...

本公开提供一种半导体结构，包括一基底、一第一掩埋栅极结构和一第二掩埋栅极结构。该基底具有一阵列区与一周围区。该第一掩埋栅极结构从该基底的一第一表面沿着一第一方向而延伸到该基底中并且设置在该阵列区中。该第二掩埋栅极结构从该基底的该第一表面...