本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一介电层以及一栅极电极。该介电层至少部分嵌入该基底内。该介电层具有依第一部分和一第二部分，该第一部分具有一第一厚度，该第二部分具有一第二厚度，该第二厚度小于该第一厚度。该栅极...

本公开提供一种用于在一存储器元件中使用的数据选通信号的控制方法。该存储器元件包括此具有一差动放大器的一接收器电路、一辅助控制电路和一数据选通控制电路。该控制方法包括以下步骤：利用该差动放大器放大从一存储器控制器所接收的一第一数据选通信号...

本申请案公开一种半导体元件及其制造方法。此半导体元件包括：一上部金属线及一下部金属线。该上部金属线设置于该下部金属线之上。至少一气隙设置在该上部金属线与该下部金属线之间。

本发明公开一种支撑加固结构及其半导体元件。此支撑加固结构包括一第一加固层，包括分别位于两个相邻的底部电极的顶表面上的两个连接部分；以及桥接该两个连接部分的一框架部分；以及一保护层，包括位于且顺应于该框架部分的一内表面上且位于该两个连接部...

一种存储器装置，包含存储器电路、重布线层和电阻器电路。重布线层耦接至存储器电路。电阻器电路耦接至存储器电路。电阻器电路包含第一电阻器组及第二电阻器组。第一电阻器组包含第一电阻器及第二电阻器。第二电阻器组包含第三电阻器及第四电阻器。在第一...

本揭露提供一种半导体元件的制造方法。所述方法包含：形成图案化硬遮罩层于基板的周边区域以及阵列区域中的基板上，其中图案化硬遮罩层具有多个镂空部；通过图案化硬遮罩层的镂空部形成多个沟槽于周边区域以及阵列区域中的基板上；通过第一沉积工艺沉积第...

一种存储器装置的制造方法包括：在基板上方形成位元线结构；在位元线结构之间及上方形成导电结构，其中导电结构曝露位元线结构的一部分；沿着位元线结构的侧壁形成包括气隙的间隔物；及在导电结构与位元线结构中的一者之间形成隔离结构，其中隔离结构包括...

本揭示内容提供一种半导体结构。半导体结构包括在基板中的多个字元线结构，其中字元线结构中的每一个包括第一功函数层、第二功函数层及金属层。第二功函数层在第一功函数层上。金属层直接接触第一功函数层，以及金属层包括被第二功函数层环绕的第一部分。...

一种制造半导体结构的方法，包含沉积第一介电层于基板上；沉积第二介电层于第一介电层上；形成电容器于第一介电层与第二介电层中；沉积第一绝缘层于第二介电层与电容器上；形成字元线结构于第一绝缘层上；沉积第二绝缘层于字元线结构上；形成通道洞于第二...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一栅极电极，设置于该基底上；一源极区与一漏极区，设置于该基底内且位于该栅极电极的相对两侧上；一隔离层，设置在该基底和该栅极电极上方；多个金属接触件，设置于该栅极电极、该源极区...

一种晶圆操作装置包含壳体、载入口、机械手臂、第一感测器组别以及处理单元。载入口设置在壳体的一侧，并配置以接收晶圆容器，晶圆容器配置以容纳至少一半导体晶圆。机械手臂设置在壳体内，并配置以将半导体晶圆移入或移出晶圆容器。机械手臂包含夹持部以...

本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一基底、一第一井区、一源极/漏极特征和一拾取区。该基底具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该第一井区邻接该基底的该第二表面并且具有一第一导电类型。该源极/漏极特征...

本揭露的实施例提供一种晶圆的平坦化方法，且该方法包括以下步骤。提供前表面具有半导体结构的晶圆。在半导体结构上形成保护层。在晶圆的背表面上形成图案遮罩，使背表面的第一部分被覆盖，且背表面的第二部分及第三部分被暴露，且图案遮罩具有对称形状。...

本发明的实施例提供一种制造电容器阵列的方法，包括以下步骤。提供基板，且基板包括位于基板上方的第一覆盖层、位于第一覆盖层上的第二覆盖层及位于第二覆盖层上的第一硬遮罩层。在周边区的第一硬遮罩层上形成光阻剂层，以使阵列区的第一硬遮罩层暴露。在...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一栅极电极，设置于该基底上；一源极区与一漏极区，设置于该底内且位于该栅极电极的相对两侧上；一隔离层，设置在该基底和该栅极电极上方；多个金属接触件，设置于该栅极电极、该源极区以...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板；以及一第一字元线结构，其包括：位于该基板中且包括一U‑形剖面轮廓的一第一字元线介电层、位于该第一字元线介电层上且被该第一字元线介电层横向包围的一第一底部导电层、位于该第一底部...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基板；位于该基板中且包括一U形剖面轮廓的一第一字元线介电层；位于该第一字元线介电层上且被该第一字元线介电层横向包围的一第一底部导电层；位于该第一底部导电层上且被该第一字元线介电层横向包围的一第...

半导体结构的制造方法包括以下步骤。接收基板，其中埋入式电容器的顶部电极从基板暴露出。形成氧化层于基板上。形成图案化牺牲层于氧化层上并暴露氧化层的一部分。形成金属层覆盖氧化层的所述部分。形成图案化介电层于金属层上。形成间隔物于图案化介电层...

本公开提供一种具有经过改善的P‑N接面的存储器元件。该存储器元件包括：一半导体基板，具有一第一表面且在该第一表面下方定义有一主动区；一栅极结构，相邻于该主动区且从该第一表面凹进到该半导体基板；一掺杂构件，延伸至该半导体基板内且被该主动区...

本发明提供一种内存装置及其噪声抑制方法。内存电路的输入接收电路接收数据选通差动信号对。噪声抑制电路于写入序言期间前的写入数据选通关闭期间，提供连接于输入接收电路的输入端与接地电压之间的噪声抑制电阻。