本公开提供一种半导体结构，包括一基底，包括多个鳍片结构；一介电层，设置在相邻鳍片结构上方，其中该介电层的一上表面是一基本上平坦的表面；一位元线结构，设置在该基底上方并且位在相邻鳍片结构之间，其中该位元线结构包括接触该介电层的该上表面的一...

本公开提供一种半导体结构，包括一基底，包括多个鳍片结构；一介电层，设置在相邻鳍片结构上方，其中该介电层的一上表面是一基本上平坦的表面；一位元线结构，设置在该基底上方并且位在相邻鳍片结构之间，其中该位元线结构包括接触该介电层的该上表面的一...

本公开提供一种单元接触结构、一半导体元件及其制备方法。该单元接触结构包括：一接触层，位于一基板上并被多个位元线结构和多个分隔层包围；以及一衬层，位于该接触层与该基板之间、该接触层与该些位元线结构之间、和该接触层与该些分隔层之间。该接触层...

本公开提供一种单元接触结构、一半导体元件及其制备方法。该单元接触结构包括：一接触层，位于一基板上并被多个位元线结构和多个分隔层包围；以及一衬层，位于该接触层与该基板之间、该接触层与该些位元线结构之间、和该接触层与该些分隔层之间。该接触层...

本申请公开一种具有侧壁氧化介电质的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一通道绝缘层，设置于该基底上；一浮动栅极，设置于该通道绝缘层上；一横向氧化中介层，设置于该浮动栅极上；以及一控制栅极，设置于该横向氧化中介层上。该横向氧化...

一种温度检测装置及方法。所述装置撷取物体的影像以及热影像。所述装置基于所述影像，判断所述物体在所述影像中的第一轮廓。所述装置将所述影像中的所述第一轮廓叠合至所述热影像，以产生所述热影像中的第二轮廓。所述装置基于所述热影像在所述第二轮廓内...

本公开提供一种具有侧壁氧化介电质的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一通道绝缘层，设置于该基底上；一浮动栅极，设置于该通道绝缘层上；一横向氧化中介层，设置于该浮动栅极上；以及一控制栅极，设置于该横向氧化中介层上。该横向氧化...

本公开提供一种存储器元件及其保护方法。该存储器元件包括一随机数产生器、一计数器和一控制器。该随机数产生器包括一第一逻辑门和一第二逻辑门，其经配置以根据该第一字元线的该位址和该第一被存取的字元线的该位址而分别产生一第一输出和一第二输出。该...

本公开提供一种用于数据选通信号的自适应噪声抑制的方法及使用该方法的存储器元件。该方法包括下列步骤：判断一第一数据选通信号与一第二数据选通信号是否满足一第一条件；响应于该第一数据选通信号和该第二数据选通信号满足该第一条件，确定与一第一晶粒...

本申请案公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。该半导体元件包括：一基板；一刻痕，位于该基板内且包括一底表面及两个侧壁；以及一催化导电层，位于该刻痕的该底表面上。该刻痕的该底表面与该基板的一顶表面彼此平行。该刻痕的该两个侧壁是实质...

一种方法包括以下步骤：在基板上方形成堆叠，堆叠包括第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层及第二支撑层；形成第一及第二沟槽；在第一及第二沟槽中形成底部电极；在堆叠上方形成图案化遮罩，其中图案化遮罩具有曝露堆叠的开口；经由图案化遮罩的开口对堆叠...

本申请案公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。该半导体元件包括：一基板；一刻痕，位于该基板内且包括一底表面及两个侧壁；以及一催化导电层，位于该刻痕的该底表面上。该刻痕的该底表面与该基板的一顶表面彼此平行。该刻痕的该两个侧壁是实质...

本公开提供一种存储器元件及其保护方法。该存储器元件包括一随机数产生器、一计数器和一控制器。该随机数产生器包括一第一逻辑门和一第二逻辑门，其经配置以根据该第一字元线的该位址和该第一被存取的字元线的该位址而分别产生一第一输出和一第二输出。该...

本公开提供一种用于数据选通信号的自适应噪声抑制的方法。该方法包括下列步骤：判断一第一数据选通信号与一第二数据选通信号是否满足一第一条件；响应于该第一数据选通信号和该第二数据选通信号满足该第一条件，确定与一第一晶粒上终端器和一第二晶粒上终...

本公开提供一种半导体元件以及一种半导体元件的制备方法。该半导体元件可以包括一第一垂直晶体管。该第一垂直晶体管可以包括一第一通道区。该第一垂直晶体管还可以包括环绕该第一通道区的一第一字元线。第一垂直晶体管也可以包括在该第一通道区和该第一字...

一种半导体装置的制造方法，包括：形成基底层和位于基底层上方的垫层；在基底层和垫层中形成隔离层，其中隔离层将基底层和垫层分隔成第一基底层和位于第一基底层上方的第一垫层，以及第二基底层和位于第二基底层上方的第二垫层；移除第二垫层；降低第二基...

一种晶圆运送装置检测系统包含多个侦测器、填充装置、晶圆运送装置及控制中心。多个侦测器分别设置工艺的多个工艺设备之间。填充装置执行充填程序。晶圆运送装置包含本体及感测器。晶圆运送装置传输工艺的晶圆。感测器检测晶圆运送装置内部的气体浓度。若...

本公开提供一种半导体元件以及一种半导体元件的制备方法。该半导体元件可以包括一第一垂直晶体管。该第一垂直晶体管可以包括一第一通道区。该第一垂直晶体管还可以包括环绕该第一通道区的一第一字元线。第一垂直晶体管也可以包括在该第一通道区和该第一字...

本公开提供一种半导体元件的制造方法。此支撑加固结构包括一第一加固层，包括分别位于两个相邻的底部电极的顶表面上的两个连接部分；以及桥接该两个连接部分的一框架部分；以及一保护层，包括位于且顺应于该框架部分的一内表面上且位于该两个连接部分之间...

半导体结构的制造方法包括以下步骤。接收基板，其中基板具有功能区域和围绕功能区域的虚拟区域。于同一工艺步骤中在功能区域上形成功能图案并在虚拟区域上形成虚拟图案，其中功能图案与虚拟图案之间的最近距离为15纳米至50纳米。移除虚拟图案。此半导...