半导体元件包含着陆垫、第一氮化物层、第一氧化物层、第二氮化物层、第三氮化物层、电极层以及填充材料。着陆垫、第一氮化物层、第一氧化物层、第二氮化物层以及第三氮化物层依序地形成。沟槽贯穿第三氮化物层、第二氧化物层、第二氮化物层、第一氧化物层...

一种形成存储器装置的方法包含：在基板中形成沟槽；形成内衬于沟槽的第一介电层；在沟槽中形成第一导电层；回蚀第一导电层，而在第一导电层上形成原生氧化层；执行蚀刻工艺以移除原生氧化层以曝光第一导电层并修整被第一导电层曝光的第一介电层的一部分；...

本公开提供一种存储器元件的制备方法。该方法包括：形成一位元线结构在一半导体基底上方；形成一第一氮化物间隙子、一第二氮化物间隙子和一第一氧化物间隙子在该位元线结构的一侧壁上，其中该第一氮化物间隙子与该位元线结构直接接触，并且该第一氧化物间...

本公开提供一种存储器元件的保护方法，其中该存储器元件包括多条字元线。该保护方法包含响应于一更新信号在一第一更新周期期间更新该多条字元线中的一第一字元线和一第一受保护字元线，其中该第一受保护字元线邻近该第一存取字元线；借由一随机数产生器基...

本公开提供一种存储器元件及其保护方法。该存储器元件包括一控制器，经配置以响应于一更新信号在一第一更新周期期间更新一第一字元线和一第一受保护字元线；一随机数产生器，经配置以接收该第一字元线的一地址和该第一受保护字元线的一地址以产生一第一数...

本公开提供一种切割结构、包含该切割结构的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该切割结构包括二主要切割绝缘层，位于一次要切割绝缘层的两端并向上延伸，其中，该二主要切割绝缘层和该次要切割绝缘层共同构成一U形剖面轮廓；一导电部，位于该次要切割...

提供一种半导体元件的制备方法，包括形成隔离层在基底中以界定预切割区域，形成下图案层在基底上，以及形成中间图案图层在下图案图层上；使用主要遮罩层图案化下图案层和中间图案层，形成第一下图案层及第一中间图案层，其暴露出预切割区域；形成上图案图...

一种存储器装置的制造方法，包括以下步骤：在基板上方形成位元线结构；在位元线结构上方共形地形成第一间隔层；对第一间隔层的上部分进行表面处理，其中在表面处理后，第一间隔层的上部的氧浓度高于第一间隔层的下部的氧浓度；移除第一间隔层的上部；形成...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一栅极电极，设置在该基底上；一第一金属接触件，设置在该栅极电极中；一第一间隙子，设置在该栅极电极的一侧壁上；以及一第二间隙子，覆盖该第一间隙子；其中第一间隙子包括...

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一栅极电极，设置在该基底上；一第一金属接触件，设置在该栅极电极中；一第一间隙子，设置在该栅极电极的一侧壁上；一沟槽电容器，设置在该第一金属接触件上方并且与该第一金...

一种半导体装置的制造方法包括将第一硬式遮罩层堆叠于主动区域层上；在第一硬式遮罩层上涂布光阻剂，其中光阻剂覆盖第一硬式遮罩层的第一周边部分；部分蚀刻第一硬式遮罩层；侧向蚀刻光阻剂以暴露第一硬式遮罩层的第二周边部分；蚀刻第一硬式遮罩层及主动...

一种形成半导体结构的方法包括多个流程。在基板上的隔离沟槽形成氧化层。在氧化层上形成衬层。氧化衬层。在氧化衬层后，在基板上形成注入区。在基板上形成字元线结构，其中字元线结构跨过氧化层与衬层。如此，避免设计的图案被破坏，并能够节省工艺。

本公开提供一种半导体结构及一种制备方法。该半导体结构包括一第一基底，具有一第一侧和与该第一侧相对的一第二侧，其中该第一侧包括从该第一侧凹陷的一凹部；一第一半导体晶粒，设置在该凹部中并接合到该第一基底的该第一侧；一第二半导体晶粒，接合到该...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该方法包括形成一导电特征在一第一基底的一正面上方的一第一钝化层中；形成一第二钝化层在该第一基底的一背面上方；形成一第一凹陷在该第二钝化层的一上表面中以暴露该导电特征；共形地形成一隔离衬垫在该第一凹陷的...

本发明提供一种半导体装置，包括底部电极、顶部电极及相变存储器结构。顶部电极设置在底部电极上。相变存储器结构设置在顶部电极与底部电极之间。本发明的半导体装置可以降低功耗，并提高电荷转移速度，从而为高密度半导体装置提供应用潜力。

本发明提供一种半导体结构的制造方法。方法包括以下步骤。提供基板，基板具有第一阵列区、第二阵列区以及周边区。在基板上形成第一下导电层，第一下导电层连续地具有位于第一阵列区中的第一部分、位于第二阵列区中的第二部分以及位于周边区中的第三部分。...

一种半导体装置制造方法包含使用第一原子层沉积，在主动区域上沉积第一薄多晶硅层，其中主动区域包含沟槽；使用第二原子层沉积，在主动区域上沉积第二薄多晶硅层；及使用化学气相沉积，在主动区域上沉积多晶硅层以形成多晶硅结构，其中用于化学气相沉积的...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一基底，包括一正面和一背面；一第一钝化层，位于该正面上方；一第二钝化层，位于该背面上方并具有一上表面；一导电特征，位于该第一钝化层中；一贯穿基底通孔(TSV)，穿透该第二钝化层和...

本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一第一基底，具有一第一侧和与该第一侧相对的一第二侧，其中该第一侧包括从该第一侧凹陷的一凹部；一第一半导体晶粒，设置在该凹部中并接合到该第一基底的该第一侧；一第二半导体晶粒，接合到该第一基底的该第...

一种存储器装置包含基板、字元线、字元线帽盖层、着陆垫、单元触点与位元线。字元线埋在基板中且沿第一方向延伸。字元线帽盖层在字元线上。着陆垫在基板与字元线帽盖层上，并接触基板与字元线帽盖层。单元触点在着陆垫上并接触着陆垫。位元线在字元线上并...