本公开提供一种半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括形成一第一导电层在一半导体基底上方；形成一第一介电层在该第一导电层上方；以一能量可移除层替换该第一介电层的一部分；形成一第一图案在该能量可移除层上方，其中该第一图案具有一第一临界尺寸...

一种测试存储器装置的系统包含多个存储器装置及测试机。测试机执行：产生第一多用途指令至此些存储器装置，以及产生第一数据信号至此些存储器装置的第一集合中的每一者的第一数据接脚，以存储第一身份数据。产生第二多用途指令至此些存储器装置，以及产生...

本公开提供一种半导体元件结构以及该半导体元件结构的制备方法。该半导体元件结构包括一第一导电层，设置在一半导体基底上方；一第一介电层，设置在该第一导电层上方；一能量可移除层，共形地沉积在一图案密集区中的该第一介电层上；一图案画遮罩，设置在...

一种形成半导体结构的方法包括以下操作。形成沟槽于基板中。形成介电层以覆盖沟槽的内表面。在350℃至450℃的第一温度下，沉积底部导电层于介电层上且于沟槽中。在大于或等于470℃的第二温度下，对底部导电层执行退火工艺。移除底部导电层的一部...

本发明的实施例提供一种半导体结构的制造方法，且该方法包括以下步骤。提供基板，且基板具有位于阵列区的第一阻障层及位于周边区的第二阻障层。蚀刻基板以在该周边区中形成凹槽，且凹槽的底表面低于第二阻障层的底表面。形成栅极结构于凹槽中。此外，本发...

一种空中走行式无人搬运车设备的操作方法，空中走行式无人搬运车设备包含至少第一和第二车厢。操作方法包含通过第二车厢上的图像撷取设备撷取第一车厢的第一图像作为卷积神经网络模型的输入，计算第一车厢和第二车厢之间的回归距离以调整第一车厢和第二车...

本公开提供一种存储器的控制单元及存储器的控制方法。该控制单元包括一第一输入级、一第一输出级以及一第二输入级。该第一输入级包括经配置以接收一第一信号的一第一输入端子和经配置以接收一第二信号的一第二输入端子。该第一输出级连接到该第一输入级并...

本公开提供一种存储器的控制单元及存储器的控制方法。该控制单元包括一第一输入级、一第二输入级、一第一输出级以及一第二输出级。该第一输入级经配置以接收一第一信号和一第二信号。该第二输入级经配置以接收该第一信号和该第二信号。该第一输出级连接到...

本发明提供一种半导体元件的测试方法。此方法包含：提供晶圆于卡盘上；移动卡盘至位于探针卡下方的第一预期位置；移动卡盘自第一预期位置至第二预期位置，致使晶圆的多个晶粒接触探针卡的多个探针；测试晶圆的晶粒的第一部位；移动卡盘至第二预期位置，致...

一种半导体装置的制造方法包括：对基板执行脉冲式蚀刻工艺以在基板中形成沟槽，其中脉冲式蚀刻工艺包括多个循环，循环中的每一者包括蚀刻周期及钝化周期，且钝化周期的源功率高于蚀刻周期的源功率；及在沟槽中形成隔离结构。脉冲式蚀刻工艺用以改良主动区...

本揭露是有关于一种形成半导体装置的方法包含提供位元线结构于基板上，其中位元线结构位在一对具有气隙的间隔层之间；以及设置氮化硅薄膜以密封气隙。设置氮化硅薄膜包含自喷淋头提供气体至操作腔体中，其中喷淋头与位在承载台上的晶圆之间具有第一距离；...

一种存储器系统包含控制器及存储器电路。控制器输出第一数据选通信号及第二数据选通信号。存储器电路耦接控制器，并接收第一及第二数据选通信号。存储器电路包含接收器。接收器包含逻辑转换电路。逻辑转换电路耦接于控制器。当第一及第二数据选通信号处于...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括基底；字元线结构，包括：字元线介电层，于基底中并有U形剖面轮廓；字元线导电层，下、上导电部，下导电部包括位于字元线介电层上且位于基底内，上导电部于下导电部上且于基底内；及字元线罩盖层，...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一字元线结构，包括一字元线介电层、一字元线导电层以及一字元线罩盖层，该字元线介电层位于该基底中并包括一U形轮廓，该字元线导电层位于该字元线介电层上且位于该基底内，该字元线罩盖...

本发明提供一种信号接收器、数据接收器和其数据锁存器。信号接收器包含数据接收器和数据选通信号接收器。数据接收器包含多个电流模式逻辑电路和多个数据锁存器。第一级电流模式逻辑电路接收数据信号，最终级电流模式逻辑电路输出经放大数据信号。多个数据...

一种存储器元件，包含基板、第一字元线结构、第一介电层、介电衬垫和位元线结构。第一字元线结构位于基板中，并包含第一底导电材料和第一顶导电材料，其中第一底导电材料的顶表面比第一顶导电材料的底表面宽。第一介电层在第一字元线结构之上。介电衬垫衬...

本揭露的实施例提供了一种包括基板的半导体结构。基板包括主动区及位于主动区之间的隔离区。每个主动区的第一端具有第一头部，每个主动区的第二端具有第二头部，每个主动区的中间部分具有腰部。在俯视图中，每个主动区的第一头部及第二头部分别具有第一宽...

一种半导体结构的制造方法包含以下步骤。形成位元线结构于基板上方。形成第一间隔层于位元线结构的第一侧壁上。形成第二间隔层于第一间隔层的第二侧壁上。形成第三间隔层于第二间隔层的第三侧壁上。对第二间隔层执行氧化工艺，以在第二间隔层中形成氧化部...

本公开提供一种接触结构、包含该接触结构的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该接触结构包括一本体部；以及一延伸部，自该本体部向下延伸并包括一凹槽。该凹槽自该延伸部的一下表面凹陷，通往该本体部，并暴露该本体部。

形成半导体结构的方法包括形成光阻图案在晶圆上的抗反射层；形成氧化层在抗反射层及光阻图案上，其中氧化层具有重叠光阻图案的凸出部；形成研磨停止层沿着氧化层的上表面；形成缓冲层在研磨停止层上；研磨缓冲层，使缓冲层的至少一部分移除及研磨停止层暴...