本公开提供一种半导体元件，包括一基底、一第一介电层、一导电层以及一绝缘罩盖层。该第一介电层设置在该基底上。该导电层设置在该第一介电层上。该导电层包括多条导线。该绝缘罩盖层设置在该导电层上，并经配置以封闭该等导线之间的多个第一间隙，以形成...

本公开提供一种半导体元件，包括一基底、一第一介电层、一导电层、一绝缘罩盖层、一栅极结构、一第一导电元件以及一第二导电元件。该第一介电层设置在该基底上。该导电层设置在该第一介电层上。该导电层包括多条导线。该绝缘罩盖层设置在该导电层上，并经...

本发明提供一种包装工艺的监测方法。此方法包含：放置材料于材料盒中；印刷条码于第一标签以及第二标签上；张贴第一标签于材料盒上；撷取包含条码的第一标签的第一影像；利用阻隔袋包装材料盒；张贴第二标签于阻隔袋上；撷取包含条码的第二标签的第二影像...

本发明的实施例提供一种半导体结构，包括设置于基板中的主动区、设置于主动区上的栅极结构、设置于栅极结构两侧的基板中的二源极/漏极区、设置于栅极结构的两侧的二位元线触点、围绕栅极结构的上部的第一介电层及围绕每个位元线触点的上部的第二介电层。...

本公开提供一种半导体元件的制备方法，包括提供一基底；形成一介电层在该基底上；沿着该介电层形成一单元接触点开口以暴露该基底；共形地形成部分填充该单元接触点开口的一牺牲层，以形成暴露该基底的一中间开口；形成完全填满该中间开口的一阻挡层；移除...

本申请公开一种半导体元件。该半导体元件包括在一半导体基底上的一环形半导体鳍片、该环形半导体鳍片内的一第一底部源极/漏极结构、环绕该环形半导体鳍片的一第二底部源极/漏极结构、一第一硅化物层、一第二硅化物层、一第一栅极结构、一第二栅极结构、...

本公开提供一种存储器元件及其保护方法。该存储器元件包括一控制器，被配置以响应于一更新信号，在一第一更新周期期间更新该些字元线中的至少一者；一数字调整器，被配置以根据由一随机数字产生器产生的一第一数字来产生一经修改的第一数字，其中该经修改...

本公开提供一种半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括形成一目标层在一半导体基底上；以及形成多个第一能量敏感图案在该目标层上。该制备方法亦包括形成一加衬层以共形地覆盖该等第一能量敏感图案。一第一开口形成在该加衬层上以及在该等第一能量敏感...

本公开提供一种半导体元件结构的制备方法，包括形成一目标层在一半导体基底上；以及形成一第一能量敏感图案在该目标层上。该制备方法亦包括形成一加衬层以覆盖该第一能量敏感图案；以及形成一第二能量敏感图案在该加衬层上。该第一能量敏感图案与该第二能...

本公开提供一种具有多个堆叠结构的半导体元件。该半导体元件具有一下晶粒；一第一堆叠结构，包括一第一控制器晶粒以及多个第一存储晶粒，该第一控制晶粒设置在该下晶粒上，该多个第一存储晶粒堆叠在该第一控制器晶粒上；以及一第二堆叠结构，包括一第二控...

一种制造电容的方法包括：形成模具于内连接层上；形成凹槽于模具中；沉积下电极层于模具上以及凹槽中；设置金属氧化层于下电极层上以及凹槽中；形成表面氧化层于金属氧化层上；以及进行无氧湿蚀刻工艺，以将表面氧化层、金属氧化层以及模具从下电极层移除...

本申请公开一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括在一半导体基底上形成一环形结构；利用该环形结构作为遮罩来蚀刻该半导体基底以形成一环形半导体鳍片；在该环形半导体鳍片内外延(epitaxially)生长一第一底部源极/漏极结构以及环绕该环...

本公开提供一种存储器元件及其保护方法。该存储器元件包括一控制器，被配置以响应于一更新信号，在一第一更新周期期间，更新多个字元线中的至少一者；一随机数字产生器，被配置以产生一第一数字；一数字调整器，连接至该随机数字产生器。该数字调整器被配...

本申请提供一种电子元件及其制备方法。该电子元件包括一第一半导体芯片、一第二半导体芯片以及一第三半导体芯片。该第二半导体芯片堆叠在该第一半导体芯片上，并通过混合键合与该第一半导体芯片电连接。该第三半导体芯片堆叠在该第二半导体芯片上，通过多...

本申请提供一种电子元件的制备方法。该制备方法包括提供一第一封装，包括一第一半导体芯片以及堆叠在该第一半导体芯片上并通过混合键合与该第一半导体芯片电连接的一第二半导体芯片；提供一第二封装，包括一第三半导体芯片以及堆叠在该第三半导体芯片上并...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该方法包括提供一基板；形成一位元线于该基板上；形成一隔离间隔物于该位元线的一侧上，其中该隔离间隔物包括一气隙；形成一着陆垫于该位元线之上；以及进行一沉积工艺以形成一气隙保护结构，以覆盖该着陆垫和该气隙...

本揭示提供一种存储器装置和用于执行行锤击保护的控制方法。控制方法包括：当存取存储行时分别将存取计数值提供到存储器装置的存储行；响应于刷新命令而依序对存储行执行刷新操作且依序重置存取计数值；接收中断命令以中断刷新操作，其中刷新操作在对中断...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板、一位元线、一隔离间隔物、一着陆垫、和一气隙保护结构。该位元线设置于该基板上。该隔离间隔物设置于该位元线的一侧上。该隔离间隔物包括一气隙。该着陆垫设置于该位元线之上。该气隙保护...

一种半导体元件的制造方法包含：提供具有阵列区域以及周边区域的基板；形成蚀刻停止层于基板的顶面上于阵列区域以及周边区域中；形成图案化遮罩层于蚀刻停止层的顶面上于阵列区域以及周边区域中，其中图案化遮罩层具有多个镂空部，且其中图案化遮罩层包含...

本揭露的实施例提供一种制造半导体结构的方法。该方法包括：提供包括主动区及位于主动区之间的隔离区的基板多个位元线结构形成在基板的顶表面上。在每个位元线结构上沉积第一氧化物层。在第一氧化物层上沉积间隔件结构。间隔件结构为多层结构且包括第二氧...