本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一凹陷栅极介电层，朝内设置在该基底中并包括一U型剖面轮廓；一凹陷栅极下导电层，设置在该凹陷栅极介电层上并包括一谷型剖面轮廓，导致产生一第一谷；一凹陷栅极上导电层...

本公开提供一种半导体元件结构，包括一半导体基底、一第一鳍结构、一第一源极/漏极结构以及一位元线接触点。该第一鳍结构从该半导体基底突伸，并且具有一第一侧壁、一第二侧壁以及将该第一侧壁连接到该第二侧壁的一上表面。该第一源极/漏极结构设置在该...

本公开提供一种半导体元件结构，包括一第一鳍结构、一第一源极/漏极结构、一第二源极/漏极结构、一第三源极/漏极结构、一第一字元线以及一第二字元线。该第一鳍结构设置在一半导体基底之上，并包括一第一通道区、一第二通道区以及一其他区。该第一源极...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供包括一第一周围区以及一第二周围区的一基底；形成一心轴层在该第一周围区上；共形地形成一层间隙子材料在该基底上并覆盖该心轴层；执行一间隙子蚀刻制程以将该层间隙子材料转变成多个牺牲间隙子在...

本揭示提供一种存储器装置及用于存储器装置的控制方法。所述存储器装置包括存储阵列及控制逻辑电路。存储阵列包括存储单元行。控制逻辑电路包括计数器及复位电路。计数器对在存储单元行上执行的存取的次数进行计数以产生与存储单元行之中被存取的存储单元...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该方法包括：提供一基板；形成多个第一掩膜层于该基板之上，其中每一个该些第一掩膜层沿着一第一方向延伸；形成多个第二掩膜层于该基板之上，其中每一个该些第二掩膜层沿着不同于该第一方向的一第二方向延伸；图案化...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该方法包括：提供一基板；形成多个第一掩膜层于该基板之上，其中每一个该些第一掩膜层沿着一第一方向延伸；形成多个第二掩膜层于该基板之上，其中每一个该些第二掩膜层沿着不同于该第一方向的一第二方向延伸；形成多...

本公开提供一种半导体晶粒结构，包括一基底、一第一支撑骨架、一第二支撑骨架、一第一导体块、一第二导体块以及一第三导体块。该第一支撑骨架与该第二支撑骨架设置在该基底上。该第一导体块设置在该第一支撑骨架上，且该第二导体块设置在该第二支撑骨架上...

本公开提供一种半导体晶粒结构，包括一基底、一第一支撑骨架、一第一导体块以及一气隙结构。第一支撑骨架设置在该基底上。该第一导体块设置在该第一支撑骨架上，并包括一第一阻障层以及设置在该第一阻障层中的一第一导电层。该气隙结构设置在该基底上并接...

本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一阱区、一熔丝介质、一栅极电极、一熔丝掺杂区、一源极及漏极(S/D)区，以及一电阻改性掺杂区。该阱区位于该基底内，具有一第一导电类型。该熔丝介质设置于该基底上。该栅极电极设置...

一种半导体装置，包含具有主动区域以及围绕主动区域的周边区域的基板、设置在基板的主动区域中的多个栅极结构，以及设置在基板的周边区域的熔丝元件。熔丝元件包含多晶硅部分具有底部尖端指向基板、设置于多晶硅部分与基板之间的介电膜，以及设置在多晶硅...

本公开提供一种电性结构及其制备方法。该电性结构包括一基底、一第一绝缘层、一第二绝缘层以及一电性接触点。该第一绝缘层与该第二绝缘层设置在该基底上方。该电性接触点延伸经过该第一绝缘层与该第二绝缘层。该电性接触点包括一第一部分以及一第二部分，...

本公开提供一种电性结构及其制备方法。该电性结构包括一基底、一第一绝缘层、一第二绝缘层以及一电性接触点。该第一绝缘层设置在该基底的一第一表面上并界定一第一穿孔以延伸经过该第一绝缘层。该第一穿孔具有一第一宽度。该第二绝缘层设置在该第一绝缘层...

本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，其包括一第一区域和一第二区域；一第二外填充层，其包括一第二凹部，其设置于该基底的第二区域内，并具有一U形截面轮廓；及一第二平坦部，其设置于该基底上，并连接该第二凹部；一第二中...

本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一第一外填充层，其包括一第一凹部，其设置于该基底内并具有一U形截面轮廓，以及一第一平坦部，其设置于该基底上，并连接该第一凹部；一第一中心层，其设置于该第一外填充层的第一凹部上...

本申请公开一种半导体元件。半导体元件包括一基底；一底部内连接层，其设置于该基底中；一底部介电层，其设置于该基底上；一内连接结构，其沿着该底部介电层设置，设置于该底部内连接层上，并设置于该底部介电层上；一顶部胶合层，其共形地设置于该底部介...

一种半导体封装包含封装基板、半导体晶片、多个导电凸块以及成型模料。封装基板具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及自第一表面延伸至第二表面的至少一槽孔。半导体晶片设置在封装基板上，并包含晶片电路，晶片电路面对封装基板的槽孔。导电凸块位...

本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一凹谷，其内凹地设置于该基底的一顶面上；一可编程绝缘层，其共形地设置于该凹谷上，并包括一V形横截面轮廓；及一顶部电极，其设置于该可编程绝缘层上。该可编程绝缘层被配置为在一编程...

本发明公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，其包括一阵列区和邻近该阵列区的一外围区；一凹谷，其内凹地设置于该基底的该外围区的一顶面上；一可编程绝缘层，其共形地设置于该凹谷上，并包括一V形横截面轮廓；一顶部电极，其设置于...

形成电容结构的方法包括多个流程。沉积单层碳薄膜于多个底电极板的多个顶部。图案化单层碳薄膜。在图案化单层碳薄膜后，基于单层碳薄膜蚀刻底电极板。在底电极板被蚀刻后，移除单层碳薄膜。形成介电层于底电极板上。形成对准底电极板的多个顶电极板于介电...