一种测量机台包含光学桌、显微镜、开发板以及两探针。显微镜位于光学桌上方。开发板位于光学桌上且位于显微镜的镜头下，配置以电性连接半导体芯片及提供半导体芯片检查信号，其中半导体芯片定位于显微镜的镜头的正下方。两探针位于光学桌上方，两探针配置...

一种测量机台包含光学桌、显微镜、工作台以及两探针。显微镜位于光学桌上方且具有镜头。工作台卡合于光学桌上及显微镜的镜头下，且配置以接收电子装置，其中电子装置具有裸露的半导体芯片，且显微镜的镜头位于半导体芯片的正上方。两探针位于光学桌上方，...

本公开提供一种半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括：形成一隔离结构在一半导体基底中；凹陷该半导体基底以形成一第一开口以及一第二开口，其中该第一开口与该第二开口位在该隔离结构的相对两侧，且该第二开口的一宽度大于该第一开口的一宽度；形成...

本公开涉及一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，其包括一混合区与一非混合区；一底部多孔介电层，其设置于该基底上；一顶部多孔介电层，其设置于该底部多孔介电层上；一中间多孔介电层，其设置于该混合区的上方，并设置于该底部多孔介电...

本申请公开一种半导体装置结构，包含设置在一半导体基底上的一第一介电层，以及设置在该第一介电层上的一第二介电层。该半导体装置结构也包含设置在该第二介电层上的一第一半导体结构。该第一半导体结构具有借由一开口与彼此隔开的一第一部分和一第二部分...

本公开提供一种半导体元件结构，包括一隔离结构，设置在一半导体基底中。该半导体元件结构亦包括一熔丝以及一电阻器电极，设置在该半导体基底中。该隔离结构设置在该熔丝与该电阻器电极之间，且该隔离结构比该熔丝更靠近该电阻器电极。该半导体元件结构还...

本公开涉及一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，其包括一混合区与一非混合区；一底部多孔介电层，其设置于该基底上；一顶部多孔介电层，其设置于该底部多孔介电层上；一中间多孔介电层，其设置于该混合区的上方，并设置于该底部多孔介电...

一种晶圆结构包含多个芯片以及多个傀儡连接部。芯片彼此分离，且芯片中每一者包含主体以及多个导电垫。导电垫分别至少部分设置于主体。傀儡连接部彼此分离，且傀儡连接部中每一者连接于主体中相邻的两者之间。导电垫中每一者更至少部分设置于傀儡连接部中...

本发明实施例提供一种制造半导体结构的方法，包括以下步骤。在基板中形成隔离区及主动区。在主动区形成第一字元线沟槽。在第一字元线沟槽中及主动区和隔离区上沉积介电层。通过蚀刻介电层形成第二字元线沟槽，且第二字元线沟槽呈线性并延伸穿过基板的隔离...

本申请公开一种半导体装置结构的制备方法，包含：在一半导体基底上依序形成一第一、第二、第三及第四介电层；部分地移除该第四介电层以形成一上开口；部分地移除该第三介电层以形成一下开口，其中该下开口的宽度大于该上开口的宽度；在该下开口内形成一第...

本公开提供一种具有复合导电特征和气隙的半导体元件的制备方法。该方法包含：在一半导体基板上方形成一第一导电部件、一第二导电部件、一第三导电部件和一第四导电部件，其中该第一导电部件和该第二导电部件形成于该半导体基板的一图案密集区上方，且该第...

本申请提供一种切割道结构。该切割道结构包括一晶粒区、一切割道区以及一个或多个电路探测垫。该晶粒区设置于一半导体晶圆上。该切割道区围绕该晶粒区。该个或该多个电路探测垫设置于该晶粒区的一第一顶面以及该切割道区的一第二顶面上。

一种半导体装置包括基板及位于基板上的位元线结构。位元线结构包括第一导电结构及第二导电结构。第一导电结构的材料包括多晶硅。第二导电结构设置在第一导电结构上并直接接触第一导电结构，其中第二导电结构的材料对氧的反应性大于钨对氧的反应性。本发明...

本申请提供一种半导体元件，包括多个晶粒区、一切割道区以及多个电路探测垫。该多个晶粒区设置于一半导体晶圆上。该切割道区设置于该多个晶粒区之间。该多个电路探测垫设置于该多个晶粒区的一第一顶面以及该切割道区的一第二顶面上。

本发明提供一种半导体结构，包括基板、基板上的多个位元线结构、每个位元线结构的侧壁上的间隙物结构、基板上的多个导电结构，以及位元线结构与导电结构之间的介电层。间隙物结构包括内部子间隙物、外部子间隙物，以及内部子间隙物与外部子间隙物之间的气...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板和一第一隔离结构。该基板具有一单元区域和一周围区域。该第一隔离结构设置于该基板的该单元区域中。该第一隔离结构包括一第一介电层和一第二介电层。该第二介电层通过该第一介电层与该基板...

本公开提供一种导电结构及其制备方法。该导电结构包括一第一支撑层、一第二支撑层、一第一导电通孔、一第三支撑层以及第二导电通孔。该第二支撑层设置在该第一支撑层上。该第一导电通孔设置在该第一支撑层与该第二支撑层之间。该第三支撑层设置在该第二支...

本公开提供一种用于阻抗(ZQ)校准的阻抗调整电路及阻抗调整方法。阻抗调整电路包括参考电阻器、上拉阻抗产生器、控制器及检测电路。参考电阻器耦合在感测节点与低参考电压之间。上拉阻抗产生器耦合到外部电压。控制器在ZQ校准操作中将上拉阻抗产生器...

本揭露提供了一种制造半导体元件的方法。所述方法包含：提供半导体结构，其中半导体结构包含交替地设置并包裹氧化物层的数个部位的数个第一氮化物部位以及数个第二氮化物部位、设置于第一氮化物部位中的一者与第二氮化物部位中的一者之间的介电质层、被第...

一种测量机台包含腔体、开发板、探针台、显微镜、电路板以及两探针。开发板位于腔体外。探针台位于腔体内。显微镜位于腔体内及探针台上方。电路板位于探针台上，且配置以电性连接半导体芯片及开发板，其中半导体芯片位于显微镜的镜头的正下方。两探针位于...