本公开提供一种电路结构，包括一第一金属线以及一第二金属线。该第二金属线设置在该第一金属线上。至少一气隙设置在该第一金属线与该第二金属线之间。

半导体元件包括基板、第一字元线、阻障层、第一绝缘层及第二绝缘层。第一字元线位于基板内，阻障层包覆第一字元线的底侧，第一绝缘层沿着第一字元线的顶面延伸且被阻障层横向地环绕。第二绝缘层位于第一绝缘层尚且横向地被阻障层环绕，第二绝缘层的材料不...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一中介层、一贯穿绝缘通孔、一第一电子元件、一第二电子元件、一绝缘层以及一封装体。该中介层具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该中介层界定在该第一表面与该第二表面之间延伸的一第一腔室以...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一中介层、一导电通孔、一绝缘层以及一第一电子元件。该中介层具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该导电通孔在该中介层的该第一表面与该第二表面之间延伸。该绝缘层将该导电通孔与该中介层间隔...

一种制造半导体装置的方法包含提供字元线结构与在字元线结构上的硬遮罩堆叠，其中字元线结构包含主动区、字元线、隔离结构与保护层，字元线相邻主动区并覆盖主动区的第一部分，隔离结构相邻主动区与字元线，且保护层覆盖主动区、字元线与隔离结构。通过第...

本揭露包括一种半导体结构及一种形成半导体结构的方法。形成半导体结构的方法包括形成导电结构于第一介电层中。形成第二介电层于第一介电层上。形成导电接触于第二介电层中。蚀刻第二介电层以在导电结构的顶面上形成凹陷。形成原生氧化物层于第二介电层的...

本公开提供一种半导体元件以及其制备方法。该半导体元件包括一存储器单元阵列、一存储器接口、一第一周围电路以及一第二周围电路。该第一周围电路支援一第一存储器协定，且第二周围电路支援一第二存储器协定，该第二存储器协定不同于该第一存储器协定。该...

一种半导体结构的叠对测量方法包括多个流程。提供具有前层和当前层的半导体结构，其中前层包括具有第一光栅组和第二光栅组的第一叠对标记，当前层包括第二叠对标记。对半导体结构执行半导体工艺。向第一叠对标记发射侦测光束。接收相对于第二叠对标记的参...

本申请提供一种半导体元件结构，包括设置于一半导体基底上的一第一介电层，以及设置于该第一介电层上的一第二介电层。该半导体元件结构还包括设置于该第二介电层上的一第一互连结构及一第二互连结构。该半导体元件结构还包括与该第一互连结构相邻设置的一...

本申请提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括提供一半导体晶圆，具有一中央区域及一斜面区域。该制备方法还包括在该半导体晶圆的该中央区域及该斜面区域上形成一含碳层。该制备方法还包括执行一湿蚀刻操作，以去除该半导体晶圆的该斜面区域上的该...

一种半导体结构包括半导体基板、隔离结构与导电结构。隔离结构位于半导体基板上。隔离结构具有第一顶面、低于第一顶面的第二顶面及邻接第一顶面与第二顶面的侧表面。导电结构具有延伸至隔离结构的第二顶面与侧表面的沟槽。导电结构围绕隔离结构并接触隔离...

本申请提供一种半导体元件结构，包括设置于一半导体基底上的一第一介电层，以及设置于该第一介电层上的一第二介电层。该半导体元件结构还包括设置于该第二介电层上的一第一互连结构及一第二互连结构。该半导体元件结构更包括与该第一互连结构相邻设置的一...

本发明提供一种电子装置及其内存装置与写入均衡方法。内存装置耦接至内存控制器，以接收数据选通信号DQS以及时钟信号CLK。在写入均衡模式中，内存装置提供写入均衡功能给内存控制器，其中写入均衡功能包括多个叠代操作。在这些叠代操作的每一个中，...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一栅极电极、一第一间隙子以及一第二间隙子。该栅极电极设置在该基底上。该第一间隙子设置在该栅极电极的一侧壁上。该第二间隙子覆盖该第一间隙子。该第一间隙子包括多个掺杂物。

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、多个第一栅极电极、一第一间隙子、一第一轻度掺杂区以及一第二轻度掺杂区。每一个第一栅极电极设置在该基底上。该第一间隙子设置在每一个第一栅极电极的一侧壁上。该第一轻度掺杂区设置在该基底内以及...

一种半导体元件包含图案化基板、第一阻障层、第二阻障层、以及导电层。图案化基板具有沟槽以及环绕沟槽的侧壁。第一阻障层设置于侧壁的第一部分上。具有介电常数为0.5至3.8的第二阻障层，设置于第一阻障层以及侧壁的第二部分上，其中侧壁的第二部分...

本申请公开一种接触结构及一种半导体元件。该半导体元件包括一中介导电层；设置于该中介导电层上的一底部导电层；设置于该底部导电层上的一导电封盖层；以及设置于该导电封盖层上的一顶部导电层。该底部导电层包括锗或硅锗。该底部导电层包括一n型掺杂物...

一种存储器装置被揭示。存储器装置包含存储器阵列、保护电路和控制电路。存储器阵列包含多个存储器列。保护电路用以判定多个存储器列中的第一列为受害列。控制电路耦接于存储器阵列以及保护电路。控制电路用以备份储存于多个存储器列中的第一列至第二列的...

本发明提供一种信号接收电路及其噪声滤除方法。信号接收电路包括运算放大器电路以及电压偏移调节电路。运算放大器电路的第一输入端与第二输入端接收差动信号，运算放大器电路的第三输入端接收参考电压，运算放大器电路比较差动信号与参考电压以产生输出信...

本揭露提供一种半导体元件的制造方法。所述方法包含：依序地形成第一支撑层、第一铸模层以及第二支撑层于基板的表面上；形成数个第一开口于第二支撑层上以暴露第一铸模层；依序地形成第二铸模层以及第三支撑层于具有第一开口的第二支撑层上；形成数个第二...