【技术实现步骤摘要】
本公开关于一种半导体元件。特别涉及一种包括一贯穿绝缘通孔(tiv)结构的半导体元件。
技术介绍
1、随着电子产业的快速发展，集成电路(ic)已经实现了高效能以及小型化。ic材料与设计的技术进步产生了数代ic，其中每一代都具有更小与更复杂的电路。
2、已经开发许多技术来提高一半导体元件的效能。举例来说，一中介层用于通过多个导电通孔(例如硅通孔(tsv))电性连接位在中介层相对侧上的多个电子元件或装置。然而，tsv具有较大的寄生电容，这降低了半导体元件的效能。因此，需要一种新的半导体元件及方法来改善这些问题。
3、上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括一中介层、一贯穿绝缘通孔(tiv)、一第一电子元件以、一第二电子元件一绝缘层以及一封装体。该中介层具有一第一表面以及与该第...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一第一保护层，以覆盖该绝缘层。
3.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该封装体封装该导电柱。
5.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该第二保护层的该第三表面大致与该贯穿绝缘通孔的一第四表面呈共面。
7.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一第三电子元件，设置在该中介层的该第二表面上，其中该第三电子元件经由一粘着层而连接到该中介层。
...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一第一保护层，以覆盖该绝缘层。
3.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该封装体封装该导电柱。
5.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该第二保护层的该第三表面大致与该贯穿绝缘通孔的一第四表面呈共面。
7.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一第三电子元件，设置在该中介层的该第二表面上，其中该第三电子元件经由一粘着层而连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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