本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一第一基板，其具有一第一侧和相对该第一侧的一第二侧，其中该第一侧包括从该第一侧凹陷的一凹部；一第一半导体裸片配置于该凹部中并接合至该第一基板的该第一侧；一第二半导体裸片接合至该第一基板的该第二侧...

本公开提供一种半导体结构的制备方法。一第一遮罩曾以及一光阻层形成在一基底上，其中该光阻层与该第一遮罩层的光敏度不同。形成一第一开口以及一第二开口，其中与该第二开口重叠的该第一遮罩层降解以形成一第二遮罩层。部分移除借由该第一开口而暴露的该...

本申请提供一存储器装置的制造方法，包括：提供有定义一主动区的一半导体基底，其中该半导体基底包含相邻于该主动区的一栅极结构，以及环绕该主动区和该栅极结构的一隔离结构；形成延伸进入该半导体基底且在该主动区内的一凹陷；形成与该凹陷共形的一绝缘...

一种相位侦测器，包括第一/第二输出端子、第一/第二p型晶体管及第一/第二均衡器元件。第二输出端子的输出信号与第一输出端子的输出信号互补。第一p型晶体管具有栅极、源极及栅极，栅极电性连接到第二输出端子，源极电性连接到供应电压，漏极电性连接...

本发明涉及半导体结构的制备方法。该方法包含：提供一基底，其具有第一突出部以及第二突出部，第一突出部与第二突出部大致相互平行且沿着第一方向延伸；以第一介电层覆盖第一突出部与第二突出部；第一屏蔽层形成在第一介电层上，以及一光阻层形成在第一屏...

本申请提供一存储器装置，包含一半导体基底，具有一第一表面，且在该第一表面下定义一主动区；一栅极结构，相邻于该主动区且自该第一表面凹入该半导体基底内；一掺杂构件，延伸进入该半导体基底且由该主动区环绕；一导电层，包含自该第一表面延伸进入该半...

本发明提供一种芯片外驱动装置及其驱动能力增强方法。检测输入数据信号的上升缘与下降缘。依据输入数据信号的上升缘与下降缘控制第一增强电路与第二增强电路对输入输出垫提供第一增强信号与第二增强信号。

一种存储器结构包含半导体基板、两个字线结构、隔离结构与位元线接触层。半导体基板具有第一沟槽、第二沟槽、第一上表面与位于第一沟槽与第二沟槽之间且低于第一上表面的第二上表面。两个字线结构分别位于第一沟槽与第二沟槽内。隔离结构位于两个字线结构...

本发明提供一种时间数字转换装置及其转换方法。计数第一环形振荡器电路的输出信号而产生第一数字码。计数第二环形振荡器电路的输出信号而产生第二数字码。依据第一环形振荡器电路的多个第一延迟级的其中一输出以及第二环形振荡器电路的多个第二延迟级的其...

本发明提供一种半导体装置结构及其制备方法。该半导体装置结构包含设置在一半导体基底上的一第一介电层，以及设置在该第一介电层上的一第二介电层。半导体装置结构也包含设置在该第二介电层内的一间隙物结构，以及穿过该第二介电层且延伸进入该第一介电层...

本发明提供一种存储器电路，包含信号缓冲器、多个开关电路、温度感测器、路径长度补偿电路以及至少一数据锁存器。信号缓冲器用以接收撷取信号。多个开关电路用以分别通过多个信号路径耦接至信号缓冲器，其中多个信号路径的长度彼此相等。温度感测器耦接至...

本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括：一第一基底，具有一正面及与该正面相对的一背面；一第一钝化层，覆盖在该第一基底的该正面上；一第二钝化层，覆盖在该第一基底的该背面上，其中该第二钝化层具有面向远离该第一基底的一顶面；一...

本申请公开一种半导体元件。该半导体元件包括：一基底；一周边栅极结构包括：向内设置于该基底中并包括一U形截面轮廓的一周边栅极绝缘层，设置于该周边栅极绝缘层上并包括一凹槽的一周边功函数层，设置于该周边功函数层上的一第一周边互连体层，设置于该...

本申请公开一种半导体元件，包括一基底，该基底包括一阵列区及一周边区；一阵列栅极结构，设置于该基底的该阵列区中；一周边栅极结构，包括向内设置于该基底的该周边区中的一周边栅极绝缘层并包括一U形截面轮廓，设置于该周边栅极绝缘层上并包括一凹槽的...

一种半导体结构包括基板、第一隔离层和源极。基板具有主体部与由主体部延伸而出的凸出部。第一隔离层位于基板的主体部上。源极位于第一隔离层上。源极具有第一部分以及与第一部分相对的第二部分。基板的凸出部位于源极的第一部分与源极的第二部分之间。半...

本揭示提供一种传输装置。传输装置包括电压产生器、转换器、电压缓冲器以及传输元件。电压产生器依据第一电流产生第一电压信号。转换器使用与温度成正比的源电流产生第二电流，依据第一电压信号产生第三电流，并且将第二电流与第三电流的总和转换成第二电...

本公开提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底，该基底具有一上表面；执行一第一蚀刻操作以形成一沟槽在该基底中；沉积一第一介电层在该沟槽中；形成一第一栅极电极在该沟槽中且横向地被该第一介电层所围绕；沉积一第二介电层在该第一栅...

本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括：位于一基底上方的一第一掺杂结构与位于该第一掺杂结构和该基底上方的一第二掺杂结构；一第一栅极层，其至少部分地设置于该第一掺杂结构与该第二掺杂结构之间；一第一栅极介电层，其围绕该第一栅极层；一通道...

本公开提供一种封装结构及其制备方法。该封装结构包括一第一基板、一第一电子组件、一第二电子组件、和一第二基板。该第一电子组件设置于该第一基板之上并与其电性连接。该第一电子组件的一主动表面面对该第一基板。该第二电子组件设置于该第一基板下方并...

本公开提供一种存储器元件。该存储器元件包括一基底；一第一栅极电极，设置在该基底内；一第二栅极电极，设置在该基底内以及在该第一栅极电极上；以及一电性绝缘结构，将该基底、该第一栅极电极以及该第二栅极电极各自分开。该存储器元件还包括一第一介电...